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NST856BF3T5G数据手册分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF

厂商型号 |
NST856BF3T5G |
参数属性 | NST856BF3T5G 封装/外壳为SOT-1123;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS PNP 65V 0.1A SOT1123 |
功能描述 | PNP 双极晶体管 |
封装外壳 | SOT-1123 |
制造商 | ONSEMI ON Semiconductor |
中文名称 | 安森美半导体 安森美半导体公司 |
数据手册 | |
更新时间 | 2025-8-7 11:47:00 |
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NST856BF3T5G规格书详情
描述 Description
The PNP Bipolar Transistor is a spin-off of our popular SOT23, SOT323, SO563 and SOT963 three-leaded devices. It is designed for general purpose amplifier applications and is housed in the SOT1123 surface mount package. The device is ideal for low-power surface mount applications, where board space is at a premium.
特性 Features
• Reduces Board Space
应用 Application
• Designed for general purpose amplifier applications
简介
NST856BF3T5G属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个。由制造生产的NST856BF3T5G晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一,对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言,它们的特性相比某些器件类型不占优势,但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言,它们仍然是首选技术。
技术参数
更多- 制造商编号
:NST856BF3T5G
- 生产厂家
:ONSEMI
- Pb-free
:Pb
- Halide free
:H
- Status
:Active
- Polarity
:PNP
- Type
:General Purpose
- VCE(sat) Max (V)
:0.8
- IC Cont. (A)
:0.1
- VCEO Min (V)
:65
- VCBO (V)
:80
- VEBO (V)
:5
- VBE(sat) (V)
:0.9
- VBE(on) (V)
:0.82
- hFE Min
:220
- hFE Max
:475
- fT Min (MHz)
:100
- PTM Max (W)
:0.347
- Package Type
:SOT-1123-3
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
ON |
22+ |
TO-220-3 |
50000 |
原装正品假一罚十,代理渠道价格优 |
询价 | ||
ON/安森美 |
22+ |
SOT-963 |
12000 |
只有原装,原装,假一罚十 |
询价 | ||
ON |
22+ |
SOT-963 |
30000 |
只做原装正品 |
询价 | ||
ON/安森美 |
22+ |
N/A |
24000 |
现货,原厂原装假一罚十! |
询价 | ||
ON/安森美 |
21+ |
SOT-963 |
8080 |
只做原装,质量保证 |
询价 | ||
ON/安森美 |
24+ |
SOT-963 |
30000 |
原装正品公司现货,假一赔十! |
询价 | ||
ON/安森美 |
23+ |
36580 |
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种 |
询价 | |||
三年内 |
1983 |
只做原装正品 |
询价 | ||||
24+ |
N/A |
64000 |
一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择 |
询价 | |||
ON |
23+ |
SOT-963 |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
询价 |