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NSS1C200MZ4_10	文件：106.36 Kbytes Page：5 Pages	100 V, 2.0 A, Low VCE(sat) PNP Transistor 文件：106.36 Kbytes 页数：5 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NSS1C200MZ4T1G	文件：110.58 Kbytes Page：5 Pages	100 V, 2.0 A, Low VCE(sat) PNP Transistor 文件：110.58 Kbytes 页数：5 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NSS1C200MZ4T3G	文件：110.58 Kbytes Page：5 Pages	100 V, 2.0 A, Low VCE(sat) PNP Transistor 文件：110.58 Kbytes 页数：5 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NSS1C200T1G	文件：75.3 Kbytes Page：5 Pages	100 V, 2.0 A, Low VCE(sat) PNP Transistor 文件：75.3 Kbytes 页数：5 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NSS1C200T1G	文件：106.36 Kbytes Page：5 Pages	100 V, 2.0 A, Low VCE(sat) PNP Transistor 文件：106.36 Kbytes 页数：5 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NSS1C200T3G	文件：75.3 Kbytes Page：5 Pages	100 V, 2.0 A, Low VCE(sat) PNP Transistor 文件：75.3 Kbytes 页数：5 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NSS1C200T3G	文件：106.36 Kbytes Page：5 Pages	100 V, 2.0 A, Low VCE(sat) PNP Transistor 文件：106.36 Kbytes 页数：5 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NSS1C200L	文件：300 bytes Page：1 Pages	低饱和压晶体管，PNP，100 V，2.0 A Low VCE(sat) Bipolar Transistors are miniature surface mount devices featuring ultra low saturation voltage VCE(sat) and high current gain capability. These are designed for use in low voltage, high speed switching applications where affordable efficient energy control is important. • High Current, Low VCEsat, ESD Robust, High Current Gain, High Cut Off Frequency, Low Profile Package, Linear Gain (Beta)\n• NSV Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Change Requirements; AECQ101Qualified and PPAP Capable\n;	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NSS1C200LT1G	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS PNP 100V 2A SOT23-3	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NSS1C200MZ4T1G	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-261-4，TO-261AA；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS PNP 100V 2A SOT223	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

技术参数

Pb-free：
Pb
AEC Qualified：
A
Halide free：
H
PPAP Capablee：
P
Status：
Active
Polarity：
PNP
Type：
Low VCE(sat)
VCE(sat) Max (V)：
0.125
IC Cont. (A)：
2
VCEO Min (V)：
100
VCBO (V)：
140
VEBO (V)：
7
VBE(sat) (V)：
0.95
VBE(on) (V)：
0.85
hFE Min：
120
hFE Max：
360
fT Min (MHz)：
100
PTM Max (W)：
2
Package Type：
SOT-223-4/TO-261-4D

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市华来深电子有限公司	NSS1C200	ON	23+	SOT-223	11846	一级代理商现货批发,原装正品,假一罚十	询价
深圳市星辰微电科技有限公司	NSS1C200	ON	22+	TO-220-3	50000	ON二三极管全系列在售	询价
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深圳市一线半导体有限公司	NSS1C200MZ4T3G	ON	24+	SOT-223(TO-261)4L	8866		询价
深圳市海天鸿电子科技有限公司	NSS1C200LT1G	ON	1725+	?	7500	只做原装进口,假一罚十	询价
深圳市振宏微科技有限公司	NSS1C200MZ4T1G	ON	23+	原厂封装	13528	振宏微原装正品,假一罚百	询价
深圳市纳立科技有限公司	NSS1C200MZ4T3G		三年内		1983	只做原装正品	询价
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