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NSS1C200MZ4T3G分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
NSS1C200MZ4T3G |
| 参数属性 | NSS1C200MZ4T3G 封装/外壳为TO-261-4，TO-261AA；包装为卷带（TR）；类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个；产品描述：TRANS PNP 100V 2A SOT223 |
| 功能描述 | 100 V, 2.0 A, Low VCE(sat) PNP Transistor |
| 封装外壳 | TO-261-4，TO-261AA |
| 文件大小 |
110.58 Kbytes |
| 页面数量 |
5 页 |
| 生产厂商 | ONSEMI |
| 中文名称 | 安森美半导体 |
| 网址 | |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-12-12 9:48:00 |
| 人工找货 | NSS1C200MZ4T3G价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
NSS1C200MZ4T3G规格书详情
NSS1C200MZ4T3G属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个。由安森美半导体制造生产的NSS1C200MZ4T3G晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一，对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言，它们的特性相比某些器件类型不占优势，但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言，它们仍然是首选技术。
产品属性
更多- 产品编号：
NSS1C200MZ4T3G
- 制造商：
onsemi
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
- 包装：
卷带（TR）
- 晶体管类型：
PNP
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
220mV @ 200mA，2A
- 电流 - 集电极截止（最大值）：
100nA（ICBO）
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
120 @ 500mA，2V
- 频率 - 跃迁：
120MHz
- 工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
TO-261-4，TO-261AA
- 供应商器件封装：
SOT-223（TO-261）
- 描述：
TRANS PNP 100V 2A SOT223
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ON/安森美 |
23+ |
SOT-223 |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
询价 | ||
ON/安森美 |
24+ |
SOT223 |
2500 |
只做原装，欢迎询价，量大价优 |
询价 | ||
ON/安森美 |
NA |
275000 |
一级代理原装正品,价格优势,长期供应! |
询价 | |||
三年内 |
1983 |
只做原装正品 |
询价 | ||||
ON/安森美 |
22+ |
SOT223 |
14100 |
原装正品 |
询价 | ||
ON/安森美 |
2450+ |
8540 |
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险!! |
询价 | |||
ON/安森美 |
23+ |
20000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
询价 | |||
ON/安森美 |
24+ |
SOT-223 |
60000 |
询价 | |||
ON Semiconductor |
2022+ |
SOT-223 |
38550 |
全新原装 支持表配单 中国著名电子元器件独立分销 |
询价 | ||
onsemi(安森美) |
24+ |
SOT-223-4 |
3727 |
原厂订货渠道,支持BOM配单一站式服务 |
询价 |
