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NSS1C200MZ4T3G	文件：110.58 Kbytes Page：5 Pages	100 V, 2.0 A, Low VCE(sat) PNP Transistor	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NSS1C200MZ4T3G	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-261-4，TO-261AA；包装：卷带（TR）类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS PNP 100V 2A SOT223	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI

产品属性

产品编号：
NSS1C200MZ4T3G
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
卷带（TR）
晶体管类型：
PNP
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
220mV @ 200mA，2A
电流 - 集电极截止（最大值）：
100nA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
120 @ 500mA，2V
频率 - 跃迁：
120MHz
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
TO-261-4，TO-261AA
供应商器件封装：
SOT-223（TO-261）
描述：
TRANS PNP 100V 2A SOT223

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多NSS1C200MZ4T3G供应商更新时间2025-5-20 15:24:00

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