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NSS1C200L

PNP Transistor

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ONSEMI

安森美半导体

NSS1C200L

PNP Transistor

文件:77.3 Kbytes 页数:6 Pages

ONSEMI

安森美半导体

NSS1C200L_16

PNP Transistor

文件:135.02 Kbytes 页数:6 Pages

ONSEMI

安森美半导体

NSS1C200LT1G

PNP Transistor

文件:77.3 Kbytes 页数:6 Pages

ONSEMI

安森美半导体

NSS1C200LT1G

100 V, 3.0 A, Low VCE(sat) PNP Transistor

文件:72.7 Kbytes 页数:5 Pages

ONSEMI

安森美半导体

NSS1C200LT1G

PNP Transistor

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ONSEMI

安森美半导体

NSS1C200LT1G_15

PNP Transistors

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KEXIN

科信电子

NSS1C200LT1G

Package:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3;包装:卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带 类别:分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 描述:TRANS PNP 100V 2A SOT23-3

ONSEMI

安森美半导体

详细参数

  • 型号:

    NSS1C200L

  • 功能描述:

    两极晶体管 - BJT 100V LO VCE(SAT) TRA PNP

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    PNP 集电极—基极电压

  • VCBO:

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO:

    - 40 V 发射极 - 基极电压

  • VEBO:

    - 6 V

  • 增益带宽产品fT:

    直流集电极/Base Gain hfe

  • Min:

    100 A

  • 安装风格:

    SMD/SMT

  • 封装/箱体:

    PowerFLAT 2 x 2

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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更多NSS1C200L供应商 更新时间2025-10-4 14:30:00