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NP80N04KHE	文件：1.07393 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel40V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
NP80N04MDG	文件：968.67 Kbytes Page：7 Pages	N-Channel40-V(D-S)MOSFET FEATURES •TrenchFET®PowerMOSFET •100RgandUISTested APPLICATIONS •SynchronousRectification •PowerSupplies	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
NP80N04MDG	文件：357.34 Kbytes Page：12 Pages	MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR DESCRIPTION TheNP80N04MDG,NP80N04NDG,andNP80N04PDGareN-channelMOSFieldEffectTransistorsdesignedforhighcurrentswitchingapplications. FEATURES •Logiclevel •Superlowon-stateresistance -NP80N04MDG,NP80N04NDG RDS(on)1=4.8mΩMAX.(VGS=10V,ID=40A) R	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
NP80N04MDG	文件：5.67799 Mbytes Page：6 Pages	ProductScoutAutomotive	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
NP80N04MHE	文件：5.67799 Mbytes Page：6 Pages	ProductScoutAutomotive	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
NP80N04MHE	文件：299.24 Kbytes Page：12 Pages	MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR SWITCHING CHANNELPOWERMOSFET FEATURES •Channeltemperature175degreerated •Superlowon-stateresistance RDS(on)=8.0mΩMAX.(VGS=10V,ID=40A) •Lowinputcapacitance Ciss=2200pFTYP. •Built-ingateprotectiondiode	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
NP80N04MHE	文件：212.96 Kbytes Page：10 Pages	MOSFIELDEFFECTTRANSISTORSWITCHINGN-CHANNELPOWERMOSFET DESCRIPTION TheseproductsareN-channelMOSFieldEffectTransistorsdesignedforhighcurrentswitchingapplications. FEATURES •Channeltemperature175degreerated •Superlowon-stateresistance RDS(on)=8.0mΩMAX.(VGS=10V,ID=40A) •Lowinputcapacitance Ciss=2200pF	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
NP80N04MHE	文件：968.54 Kbytes Page：7 Pages	N-Channel40-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
NP80N04MLG	文件：5.67799 Mbytes Page：6 Pages	ProductScoutAutomotive	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
NP80N04MLG	文件：356.14 Kbytes Page：12 Pages	MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR DESCRIPTION TheNP80N04MLG,NP80N04NLG,andNP80N04PLGareN-channelMOSFieldEffectTransistorsdesignedforhighcurrentswitchingapplications. FEATURES •Logiclevel •Built-ingateprotectiondiode •Superlowon-stateresistance -NP80N04MLG,NP80N04NLG RDS(on)1=4.8mΩMAX	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS

详细参数

型号：
NP80N04DHE
功能描述：
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 40V V(BR)DSS | 80A I(D) | TO-262AA

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多NP80N04DHE供应商更新时间2025-7-17 15:30:00

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