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NP80N04MLG中文资料瑞萨数据手册PDF规格书

NP80N04MLG
厂商型号

NP80N04MLG

功能描述

MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

文件大小

356.14 Kbytes

页面数量

12

生产厂商 Renesas Technology Corp
企业简称

RENESAS瑞萨

中文名称

瑞萨科技有限公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-7-2 23:00:00

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NP80N04MLG规格书详情

DESCRIPTION

The NP80N04MLG, NP80N04NLG, and NP80N04PLG are N-channel MOS Field Effect Transistors designed for high current switching applications.

FEATURES

• Logic level

• Built-in gate protection diode

• Super low on-state resistance

- NP80N04MLG, NP80N04NLG

RDS(on)1 = 4.8 mΩ MAX. (VGS = 10 V, ID = 40 A)

RDS(on)2 = 9.0 mΩ MAX. (VGS = 4.5 V, ID = 35 A)

- NP80N04PLG

RDS(on)1 = 4.5 mΩ MAX. (VGS = 10 V, ID = 40 A)

RDS(on)2 = 8.7 mΩ MAX. (VGS = 4.5 V, ID = 35 A)

• High current rating

ID(DC) = ±80 A

• Low input capacitance

Ciss = 4600 pF TYP.

• Designed for automotive application and AEC-Q101 qualified

产品属性

  • 型号:

    NP80N04MLG

  • 制造商:

    RENESAS

  • 制造商全称:

    Renesas Technology Corp

  • 功能描述:

    MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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