| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
深圳市科恒伟业电子有限公司1年
留言
|
RENESAS/瑞萨TO252 |
6500 |
23+ |
只做原装正品现货!或订货假一赔十! |
|||
|
深圳市正纳电子有限公司11年
留言
|
Renesas(瑞萨)原厂封装 |
32078 |
23+ |
10年以上分销商,原装进口件,服务型企业 |
|||
|
深圳市坤融电子科技有限公司5年
留言
|
RENESAS/瑞萨TO-263 |
361 |
2024+实力库存 |
只做原厂渠道 可追溯货源 |
|||
|
深圳市正纳电子有限公司7年
留言
|
Renesas(瑞萨)原厂封装 |
9000 |
21+ |
保证原装正品深圳现货 |
|||
|
深圳市毅创辉电子科技有限公司5年
留言
|
RENESAS(瑞萨)/IDTTO-252 |
25000 |
23+ |
全新、原装 |
|||
|
深圳市宏捷佳电子科技有限公司10年
留言
|
RenesasTO-263 |
37650 |
23+ |
全新原装真实库存含13点增值税票! |
|||
|
深圳市昊创电子有限公司12年
留言
|
RENESAS/瑞萨SOT-252 |
9450 |
2021+ |
原装现货。 |
|||
|
深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
|
NECTO-252 |
503100 |
16余年资质 绝对原盒原盘 更多数量 |
||||
|
深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
|
NECTO-252 |
503100 |
16余年资质 绝对原盒原盘 更多数量 |
||||
|
贸泽芯城（深圳）电子科技有限公司5年
留言
|
NECTO-252 |
33000 |
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种 |
||||
|
深圳市高捷芯城科技有限公司5年
留言
|
Renesas(瑞萨)标准封装 |
9548 |
23+ |
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。 |
|||
|
深圳市金芯世纪电子有限公司1年
留言
|
NECTO-252 |
100000 |
22+ |
代理渠道/只做原装/可含税 |
|||
|
深圳市科恒伟业电子有限公司11年
留言
|
NECSOT-252 |
6523 |
2016+ |
只做进口原装现货!假一赔十! |
|||
|
深圳市华睿芯科技有限公司8年
留言
|
RENESASSOT-252 |
20000 |
23+ |
原厂原装正品现货 |
|||
|
深圳市星辰微电科技有限公司3年
留言
|
RENESAS/瑞萨TO-263 |
12500 |
22+ |
瑞萨全系列在售,终端可出样品 |
|||
|
深圳市博浩通科技有限公司14年
留言
|
NECTO-252 |
11714 |
23+ |
全新原装 |
|||
|
易创佳业科技（深圳）有限公司3年
留言
|
RTO-252 |
6000 |
23+ |
原装正品，支持实单 |
|||
|
深圳市赛恒电子科技有限公司3年
留言
|
NECTO252 |
6688 |
21+ |
十年老店,原装正品 |
|||
|
深圳市天芯威科技有限公司1年
留言
|
NECTO252 |
30000 |
22+ |
原装正品 |
|||
|
深圳市星宇佳科技有限公司2年
留言
|
RENESAS/瑞萨TO-263 |
361 |
13+P |
NP36P06采购信息快速发布，第一时间取得供应商价格！
NP36P06图片
NP36P06SLG-E1-AY价格
NP36P06SLG-E1-AY价格：￥6.4776品牌：Renesas
生产厂家品牌为Renesas的NP36P06SLG-E1-AY多少钱，想知道NP36P06SLG-E1-AY价格是多少？参考价：￥6.4776。这里提供2024年最近一周走势，供应商今日竞价，代理商今日出价，NP36P06SLG-E1-AY批发价格及采购报价，NP36P06SLG-E1-AY销售排行榜及行情走势，NP36P06SLG-E1-AY报价。
NP36P06KDG-E1-AY中文资料Alldatasheet PDF
更多NP36P06KDG制造商:NEC 制造商全称:NEC 功能描述:MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR
NP36P06KDG-E1-AY功能描述:MOSFET P-CH -60V -36A TO-263 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
NP36P06KDG-E2-AY制造商:NEC 制造商全称:NEC 功能描述:MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR
NP36P06SLG制造商:NEC 制造商全称:NEC 功能描述:MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR SWITCHING P-CHANNEL POWER MOSFET
NP36P06SLG-E1-AY功能描述:MOSFET P-CH -60V -36A TO-252 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
NP36P06SLG-E1-AZ制造商:Renesas Electronics Corporation
NP36P06SLG-E2制造商:Renesas Electronics Corporation
NP36P06SLG-E2-AY制造商:Renesas Electronics Corporation
