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NP36P06SLG-E1-AY	文件：286.43 Kbytes Page：9 Pages	SWITCHING P-CHANNEL POWER MOSFET DESCRIPTION TheNP36P06SLGisP-channelMOSFieldEffectTransistordesignedforhighcurrentswitchingapplications. FEATURES •Superlowon-stateresistance RDS(on)1=30mΩMAX.(VGS=−10V,ID=−18A) RDS(on)2=40mΩMAX.(VGS=−4.5V,ID=−18A) •Lowinputcapacitance Ci	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
NP36P06SLG-E1-AY	文件：1.53755 Mbytes Page：8 Pages	-60V – -36A – P-channel Power MOS FET Application : Automotive Description ThisproductisP-channelMOSFieldEffectTransistordesignedforhighcurrentswitchingapplications. Features Superlowon-stateresistance:RDS(on)=30mMax.(VGS=-10V,ID=-18A) RDS(on)=40mMax.(VGS=-4.5V,ID=-18A) Lowinputcapacitance:Ciss=32	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS

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SWITCHING P-CHANNEL POWER MOSFET

DESCRIPTION TheNP36P06SLGisP-channelMOSFieldEffectTransistordesignedforhighcurrentswitchingapplications. FEATURES •Superlowon-stateresistance RDS(on)1=30mΩMAX.(VGS=−10V,ID=−18A) RDS(on)2=40mΩMAX.(VGS=−4.5V,ID=−18A) •Lowinputcapacitance Ci

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NP36P06SLG-E1-AY

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Page：8 Pages

-60V – -36A – P-channel Power MOS FET Application : Automotive

Description ThisproductisP-channelMOSFieldEffectTransistordesignedforhighcurrentswitchingapplications. Features Superlowon-stateresistance:RDS(on)=30mMax.(VGS=-10V,ID=-18A) RDS(on)=40mMax.(VGS=-4.5V,ID=-18A) Lowinputcapacitance:Ciss=32

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详细参数

型号：
NP36P06SLG-E1
功能描述：
MOSFET P-CH -60V -36A TO-252
RoHS：
是
类别：
分离式半导体产品 >> FET - 单
系列：
-
标准包装：
1,000
系列：
MESH OVERLAY™ FET
型：
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
特点：
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)：
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
C：
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
Vgs：
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
最大：
40W
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3 整包
供应商设备封装：
TO-220FP
包装：
管件

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