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NP160N04TUG-E1-AY	文件：287.7 Kbytes Page：8 Pages	SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET FEATURES • Super low on-state resistance RDS(on) = 1.6 mΩ TYP. / 2.0 mΩ MAX. (VGS = 10 V, ID = 80 A) • High Current Rating ID(DC) = ±160 A 文件：287.7 Kbytes 页数：8 Pages	NEC 瑞萨	NEC
NP160N04TUG-E1-AY	文件：287.7 Kbytes Page：8 Pages	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR FEATURES • Super low on-state resistance RDS(on) = 1.6 mΩ TYP. / 2.0 mΩ MAX. (VGS = 10 V, ID = 80 A) • High Current Rating ID(DC) = ±160 A 文件：287.7 Kbytes 页数：8 Pages	NEC 瑞萨	NEC
NP160N04TUG-E1-AYNote	文件：364.65 Kbytes Page：10 Pages	SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET 文件：364.65 Kbytes 页数：10 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
NP2300MR-Y-G	文件：0 bytes Page：0 Pages	SOT23-3	NATLINEAR/南麟上传：深圳广友电子有限公司	NATLINEAR/南麟
NP2301AMR	文件：0 bytes Page：0 Pages	SOT-23-3	南麟上传：深圳市勇康微科技有限公司	南麟

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更多NP160N04TUG-E1-AY供应商更新时间2025-12-23 16:50:00