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NP160N04TUJ-E1-AY	文件：203.5 Kbytes Page：8 Pages	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR Description The NP160N04TUJ is N-channel MOS Field Effect Transistor designed for high current switching applications. Features • Low on-state resistance ⎯ RDS(on) = 2.0 mΩ MAX. (VGS = 10 V, ID = 80 A) • Low Ciss: Ciss = 6900 pF TYP. (VDS = 25 V, VGS = 0 V) • Designed for automotive appli 文件：203.5 Kbytes 页数：8 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
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更多NP160N04TUJ-E1-AY供应商更新时间2026-2-5 8:23:00