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NP160N04TUJ-E2-AY	文件：203.5 Kbytes Page：8 Pages	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR Description The NP160N04TUJ is N-channel MOS Field Effect Transistor designed for high current switching applications. Features • Low on-state resistance ⎯ RDS(on) = 2.0 mΩ MAX. (VGS = 10 V, ID = 80 A) • Low Ciss: Ciss = 6900 pF TYP. (VDS = 25 V, VGS = 0 V) • Designed for automotive appli 文件：203.5 Kbytes 页数：8 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
NP160N04TUJ-E2-AY	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带类别：分立半导体产品晶体管 - FET，MOSFET - 单个描述：TRANSISTOR	Renesas Electronics America Inc	Renesas Electronics America Inc
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