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NP180N04TUJ-E2-AY

MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

Description The NP180N04TUJ is N-channel MOS Field Effect Transistor designed for high current switching applications. Features • Low on-state resistance ⎯ RDS(on) = 1.5 mΩ MAX. (VGS = 10 V, ID = 90 A) • Low Ciss: Ciss = 9500 pF TYP. (VDS = 25 V) • Designed for automotive application and

文件:220.58 Kbytes 页数:8 Pages

RENESAS

瑞萨

NP180N04TUJ-E2-AY

包装:卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带 类别:分立半导体产品 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 描述:TRANSISTOR

Renesas Electronics America Inc

Renesas Electronics America Inc

NP2300MR-Y-G

SOT23-3

NATLINEAR/南麟

上传:深圳广友电子有限公司

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SOT-23-3

南麟

NP2301AMR-G

SOT-23-3

NATLINEAR/南麟

上传:深圳广友电子有限公司

NATLINEAR/南麟

产品属性

  • 产品编号:

    NP180N04TUJ-E2-AY

  • 制造商:

    Renesas Electronics America Inc

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - FET,MOSFET - 单个

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带

  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):

    180A(Tc)

  • 描述:

    TRANSISTOR

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更多NP180N04TUJ-E2-AY供应商 更新时间2026-2-2 15:00:00