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NP160N04TUK	文件：235.68 Kbytes Page：8 Pages	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR Description The NP160N04TUK is N-channel MOS Field Effect Transistor designed for high current switching applications. Features • Super low on-state resistance RDS(on) = 1.5 mΩ MAX. ( VGS = 10 V, ID = 80 A ) • Low Ciss: Ciss = 7200 pF TYP. ( VDS = 25 V ) • Designed for automotive applicat 文件：235.68 Kbytes 页数：8 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
NP160N04TUK	文件：912.08 Kbytes Page：8 Pages	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR Features ･ Super low on-state resistance RDS(on) = 1.5 m MAX. ( VGS = 10 V, ID = 80 A ) ･ Low Ciss Ciss = 7200 pF TYP. ( VDS = 25 V ) ･ Designed for automotive application and AEC-Q101 qualified 文件：912.08 Kbytes 页数：8 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
NP160N04TUK	文件：5.67799 Mbytes Page：6 Pages	Product Scout Automotive 文件：5.67799 Mbytes 页数：6 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
NP160N04TUK_V01	文件：912.08 Kbytes Page：8 Pages	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR Features ･ Super low on-state resistance RDS(on) = 1.5 m MAX. ( VGS = 10 V, ID = 80 A ) ･ Low Ciss Ciss = 7200 pF TYP. ( VDS = 25 V ) ･ Designed for automotive application and AEC-Q101 qualified 文件：912.08 Kbytes 页数：8 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
NP160N04TUK-E1-AY	文件：912.08 Kbytes Page：8 Pages	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR Features ･ Super low on-state resistance RDS(on) = 1.5 m MAX. ( VGS = 10 V, ID = 80 A ) ･ Low Ciss Ciss = 7200 pF TYP. ( VDS = 25 V ) ･ Designed for automotive application and AEC-Q101 qualified 文件：912.08 Kbytes 页数：8 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
NP160N04TUK-E1-AY	文件：235.68 Kbytes Page：8 Pages	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR Description The NP160N04TUK is N-channel MOS Field Effect Transistor designed for high current switching applications. Features • Super low on-state resistance RDS(on) = 1.5 mΩ MAX. ( VGS = 10 V, ID = 80 A ) • Low Ciss: Ciss = 7200 pF TYP. ( VDS = 25 V ) • Designed for automotive applicat 文件：235.68 Kbytes 页数：8 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
NP160N04TUK-E2-AY	文件：235.68 Kbytes Page：8 Pages	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR Description The NP160N04TUK is N-channel MOS Field Effect Transistor designed for high current switching applications. Features • Super low on-state resistance RDS(on) = 1.5 mΩ MAX. ( VGS = 10 V, ID = 80 A ) • Low Ciss: Ciss = 7200 pF TYP. ( VDS = 25 V ) • Designed for automotive applicat 文件：235.68 Kbytes 页数：8 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
NP160N04TUK-E2-AY	文件：912.08 Kbytes Page：8 Pages	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR Features ･ Super low on-state resistance RDS(on) = 1.5 m MAX. ( VGS = 10 V, ID = 80 A ) ･ Low Ciss Ciss = 7200 pF TYP. ( VDS = 25 V ) ･ Designed for automotive application and AEC-Q101 qualified 文件：912.08 Kbytes 页数：8 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
NP160N04TUK_15	文件：235.68 Kbytes Page：8 Pages	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR 文件：235.68 Kbytes 页数：8 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
NP160N04TUK	文件：300 bytes Page：1 Pages	Power MOSFETs-Power MOSFETs for Automotive	Renesas 瑞萨	Renesas

技术参数

封装类型：
MP-25ZT/7pin TO-263
Nch/Pch：
Nch
通道数：
Single
汽车业：
YES
VDSS (V) 最大值：
40
ID (A)：
160
RDS (ON)(mΩ) 最大值@10V或8V：
1.5
Ciss (pF) 典型值：
7200
Vgs (off) (V) 最大值：
4
VGSS (V)：
20
Pch (W)：
250
应用：
Automotive Use
安装类型：
Surface Mount
系列名称：
NP Series
QG (nC) 典型值：
126

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