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NP160N04TUK_V01

文件：912.08 Kbytes

Page：8 Pages

MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

Features ･Superlowon-stateresistance RDS(on)=1.5mMAX.(VGS=10V,ID=80A) ･LowCissCiss=7200pFTYP.(VDS=25V) ･DesignedforautomotiveapplicationandAEC-Q101qualified

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