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NP110N055PUK-E1-AY	文件：133.76 Kbytes Page：8 Pages	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR Description TheNP110N055PUKisN-channelMOSFieldEffectTransistordesignedforhighcurrentswitchingapplications. Features •Superlowon-stateresistance RDS(on)=1.75mΩMAX.(VGS=10V,ID=55A) •LowCiss:Ciss=10700pFTYP.(VDS=25V) •Designedforautomotiveapplicati	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
NP110N055PUK-E1-AY	文件：267.97 Kbytes Page：8 Pages	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR Description TheNP110N055PUKisN-channelMOSFieldEffectTransistordesignedforhighcurrentswitchingapplications. Features Superlowon-stateresistance RDS(on)=1.75mMAX.(VGS=10V,ID=55A) LowCiss:Ciss=10700pFTYP.(VDS=25V) Designedforautomotiveapplicatio	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
NP110N055PUK-E2-AY	文件：133.76 Kbytes Page：8 Pages	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR Description TheNP110N055PUKisN-channelMOSFieldEffectTransistordesignedforhighcurrentswitchingapplications. Features •Superlowon-stateresistance RDS(on)=1.75mΩMAX.(VGS=10V,ID=55A) •LowCiss:Ciss=10700pFTYP.(VDS=25V) •Designedforautomotiveapplicati	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
NP110N055PUK-E2-AY	文件：267.97 Kbytes Page：8 Pages	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR Description TheNP110N055PUKisN-channelMOSFieldEffectTransistordesignedforhighcurrentswitchingapplications. Features Superlowon-stateresistance RDS(on)=1.75mMAX.(VGS=10V,ID=55A) LowCiss:Ciss=10700pFTYP.(VDS=25V) Designedforautomotiveapplicatio	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
NP15P04SLG	文件：1.45717 Mbytes Page：8 Pages	-40V – -15A – P-channel Power MOS FET Application : Automotive Description ThisproductisP-channelMOSFieldEffectTransistordesignedforhighcurrentswitchingapplications. Features Superlowon-stateresistance:RDS(on)=40mMax.(VGS=-10V,ID=-7.5A) RDS(on)=60mMax.(VGS=-4.5V,ID=-7.5A) Lowinputcapacitance:Ciss=	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
NP15P04SLG	文件：298.25 Kbytes Page：2 Pages	isc P-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=-15A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=-40V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=40mΩ(Max)@VGS=-10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
NP15P04SLG-E1-AY	文件：1.45717 Mbytes Page：8 Pages	-40V – -15A – P-channel Power MOS FET Application : Automotive Description ThisproductisP-channelMOSFieldEffectTransistordesignedforhighcurrentswitchingapplications. Features Superlowon-stateresistance:RDS(on)=40mMax.(VGS=-10V,ID=-7.5A) RDS(on)=60mMax.(VGS=-4.5V,ID=-7.5A) Lowinputcapacitance:Ciss=	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
NP15P06SLG	文件：306.67 Kbytes Page：9 Pages	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR ProductScoutAutomotive	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
NP15P06SLG	文件：298.66 Kbytes Page：2 Pages	isc P-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=-15A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=-60V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=70mΩ(Max)@VGS=-10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
NP15P06SLG-E1-AY	文件：306.67 Kbytes Page：9 Pages	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR ProductScoutAutomotive	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS

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详细参数

型号：
NP
制造商：
House of Batteries
功能描述：
- Bulk

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市创新迹电子有限公司	NP	NEC	22+	SOT-89	25000	只有原装原装,支持BOM配单	询价
深圳市威尔健半导体有限公司	NQ	松木	23+	TSOP-6	69820	终端可以免费供样,支持BOM配单!	询价
瀚佳科技(深圳)有限公司	NS	2019+	24+	公司大量全新原装现货/长期供应	65300	一级代理/放心购买!	询价
深圳市旺财半导体有限公司	NS		23+	TSSOP-8	16567	正品:QQ;2987726803	询价
深圳市拓亿芯电子有限公司	NT	PANASONIC/松下	23+	SOT523-3	15000	全新原装现货,价格优势	询价
深圳市得捷芯城科技有限公司	NV	VISHAY/威世	24+	NA/	10	优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票	询价
艾睿（深圳）半导体有限公司	NW	Ai-Thinker(安信可)	2447	DIP	31500	20个/托盘一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,长	询价
深圳市科恒伟业电子有限公司	O2	N/A	2450+	SMT36	6540	只做原装正品现货或订货!终端客户免费申请样品!	询价
香港创芯邦电子有限公司	O4	FAIRCHILD	23+		24000	现货库存	询价
深圳市福田区亿兴成电子商行	O8	ADI/亚德诺		QFN	6698		询价

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