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SSM6N58NU

丝印:NN8;Package:UDFN6;MOSFETs Silicon N-Channel MOS

1. Applications • Power Management Switches • DC-DC Converters 2. Features (1) 1.8-V gate drive voltage. (2) Low drain-source on-resistance : RDS(ON) = 84 mΩ (max) (@VGS = 4.5 V) RDS(ON) = 117 mΩ (max) (@VGS = 2.5 V) RDS(ON) = 180 mΩ (max) (@VGS = 1.8 V)

文件:274.24 Kbytes 页数:9 Pages

TOSHIBA

东芝

SSM6N58NU

丝印:NN8;Package:UDFN6;Power Management Switches

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TOSHIBA

东芝

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更多NN8供应商 更新时间2025-9-21 14:14:00