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SSM6N58NU中文资料东芝数据手册PDF规格书

SSM6N58NU
厂商型号

SSM6N58NU

功能描述

MOSFETs Silicon N-Channel MOS

丝印标识

NN8

封装外壳

UDFN6

文件大小

274.24 Kbytes

页面数量

9

生产厂商 Toshiba Semiconductor
企业简称

TOSHIBA东芝

中文名称

株式会社东芝官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-7-2 23:00:00

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SSM6N58NU规格书详情

1. Applications

• Power Management Switches

• DC-DC Converters

2. Features

(1) 1.8-V gate drive voltage.

(2) Low drain-source on-resistance

: RDS(ON) = 84 mΩ (max) (@VGS = 4.5 V)

RDS(ON) = 117 mΩ (max) (@VGS = 2.5 V)

RDS(ON) = 180 mΩ (max) (@VGS = 1.8 V)

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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