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KSH45H11I	文件：491.17 Kbytes Page：4 Pages	PNPEpitaxialSiliconTransistor DESCRIPTION ·Collector-EmitterBreakdownVoltage -V(BR)CEO=-80V(Min) ·Collector-EmitterSaturationVoltage -VCE(sat)=-1.0V(Max)@IC=-8A APPLICATIONS ·SwitchingRegulators ·Converters ·PowerAmplifiers	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
KSH45H11ITU	文件：168.86 Kbytes Page：6 Pages	PNPEpitaxialSiliconTransistor Description General-purposepowerandswitchingsuchasoutputordriverstagesinapplicationsD-PAKforsurfacemountapplications. Features •LeadFormedforSurfaceMountApplication(NoSuffix) •StraightLead(I-PAK,“-I”Suffix) •ElectricallySimilartoPopularKSE45H •FastSwitchi	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
KSH45H11TF	文件：168.86 Kbytes Page：6 Pages	PNPEpitaxialSiliconTransistor Description General-purposepowerandswitchingsuchasoutputordriverstagesinapplicationsD-PAKforsurfacemountapplications. Features •LeadFormedforSurfaceMountApplication(NoSuffix) •StraightLead(I-PAK,“-I”Suffix) •ElectricallySimilartoPopularKSE45H •FastSwitchi	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
KSH45H11TM	文件：168.86 Kbytes Page：6 Pages	PNPEpitaxialSiliconTransistor Description General-purposepowerandswitchingsuchasoutputordriverstagesinapplicationsD-PAKforsurfacemountapplications. Features •LeadFormedforSurfaceMountApplication(NoSuffix) •StraightLead(I-PAK,“-I”Suffix) •ElectricallySimilartoPopularKSE45H •FastSwitchi	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
MJB45H11	文件：75.98 Kbytes Page：6 Pages	ComplementaryPowerTransistors ComplementaryPowerTransistors D2PAKforSurfaceMount Complementarypowertransistorsareforgeneralpurposepoweramplificationandswitchingsuchasoutputordriverstagesinapplicationssuchasswitchingregulators,convertersandpoweramplifiers. Features •LowCollector−EmitterSatu	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MJB45H11	文件：64.26 Kbytes Page：6 Pages	ComplementaryPowerTransistorsD2PAKforSurfaceMount	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MJB45H11	文件：240.33 Kbytes Page：2 Pages	iscSiliconPNPPowerTransistor DESCRIPTION •LowCollector-Emittersaturationvoltage •Pb-freepackageareavailable •Fastswitchingspeed •100avalanchetested •MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdeviceperformanceandreliableoperation APPLICATIONS •Generalpurposeamplificationandswitchingsuchasoutor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
MJB45H11	文件：184.81 Kbytes Page：7 Pages	ComplementaryPowerTransistorsD2PAKforSurfaceMount Complementarypowertransistorsareforgeneralpurposepower amplificationandswitchingsuchasoutputordriverstagesin applicationssuchasswitchingregulators,convertersandpower amplifiers. Features •LowCollector−EmitterSaturationVoltage− VCE(sat)=1.0V(Max)@8.0A •F	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MJB45H11G	文件：64.26 Kbytes Page：6 Pages	ComplementaryPowerTransistorsD2PAKforSurfaceMount	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MJB45H11G	文件：115.99 Kbytes Page：6 Pages	ComplementaryPowerTransistors	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI

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产品属性

产品编号：
NJVMJD45H11RLG
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
系列：
Automotive, AEC-Q101
包装：
散装
晶体管类型：
PNP
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
1V @ 400mA，8A
电流 - 集电极截止（最大值）：
10µA
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
60 @ 2A，1V
频率 - 跃迁：
40MHz
工作温度：
150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
供应商器件封装：
DPAK
描述：
TRANS PNP 80V 8A DPAK

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市高捷芯城科技有限公司	NJVMJD45H11RLG	onsemi(安森美)	24+	DPAK-3	2176	原厂订货渠道,支持BOM配单一站式服务	询价
深圳市亿智腾科技有限公司	NJVMJD45H11RLG	原厂原包	24+	原装	38560	原装进口现货,工厂客户可以放款。17377264928微信同	询价
深圳市益百分电子有限公司	NJVMJD45H11RLG	ON/安森美	1830+	NA	1800		询价
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