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KSH45H11I	文件：491.17 Kbytes Page：4 Pages	PNP Epitaxial Silicon Transistor DESCRIPTION ·Collector-EmitterBreakdownVoltage -V(BR)CEO=-80V(Min) ·Collector-EmitterSaturationVoltage -VCE(sat)=-1.0V(Max)@IC=-8A APPLICATIONS ·SwitchingRegulators ·Converters ·PowerAmplifiers	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
KSH45H11ITU	文件：168.86 Kbytes Page：6 Pages	PNP Epitaxial Silicon Transistor Description General-purposepowerandswitchingsuchasoutputordriverstagesinapplicationsD-PAKforsurfacemountapplications. Features •LeadFormedforSurfaceMountApplication(NoSuffix) •StraightLead(I-PAK,“-I”Suffix) •ElectricallySimilartoPopularKSE45H •FastSwitchi	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
KSH45H11ITU	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA；包装：管件类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS PNP 80V 8A IPAK	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
KSH45H11TF	文件：168.86 Kbytes Page：6 Pages	PNPEpitaxialSiliconTransistor Description General-purposepowerandswitchingsuchasoutputordriverstagesinapplicationsD-PAKforsurfacemountapplications. Features •LeadFormedforSurfaceMountApplication(NoSuffix) •StraightLead(I-PAK,“-I”Suffix) •ElectricallySimilartoPopularKSE45H •FastSwitchi	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
KSH45H11TM	文件：168.86 Kbytes Page：6 Pages	PNPEpitaxialSiliconTransistor Description General-purposepowerandswitchingsuchasoutputordriverstagesinapplicationsD-PAKforsurfacemountapplications. Features •LeadFormedforSurfaceMountApplication(NoSuffix) •StraightLead(I-PAK,“-I”Suffix) •ElectricallySimilartoPopularKSE45H •FastSwitchi	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
MJB45H11	文件：240.33 Kbytes Page：2 Pages	iscSiliconPNPPowerTransistor DESCRIPTION •LowCollector-Emittersaturationvoltage •Pb-freepackageareavailable •Fastswitchingspeed •100avalanchetested •MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdeviceperformanceandreliableoperation APPLICATIONS •Generalpurposeamplificationandswitchingsuchasoutor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
MJB45H11	文件：75.98 Kbytes Page：6 Pages	ComplementaryPowerTransistors ComplementaryPowerTransistors D2PAKforSurfaceMount Complementarypowertransistorsareforgeneralpurposepoweramplificationandswitchingsuchasoutputordriverstagesinapplicationssuchasswitchingregulators,convertersandpoweramplifiers. Features •LowCollector−EmitterSatu	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MJB45H11	文件：64.26 Kbytes Page：6 Pages	ComplementaryPowerTransistorsD2PAKforSurfaceMount	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MJB45H11	文件：184.81 Kbytes Page：7 Pages	ComplementaryPowerTransistorsD2PAKforSurfaceMount Complementarypowertransistorsareforgeneralpurposepower amplificationandswitchingsuchasoutputordriverstagesin applicationssuchasswitchingregulators,convertersandpower amplifiers. Features •LowCollector−EmitterSaturationVoltage− VCE(sat)=1.0V(Max)@8.0A •F	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MJB45H11G	文件：64.26 Kbytes Page：6 Pages	ComplementaryPowerTransistorsD2PAKforSurfaceMount	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI

详细参数

型号：
KSH45H11I
功能描述：
两极晶体管 - BJT PNP Epitaxial Sil
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
PNP 集电极—基极电压
VCBO：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
- 40 V 发射极 - 基极电压
VEBO：
- 6 V
增益带宽产品fT：
直流集电极/Base Gain hfe
Min：
100 A
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
PowerFLAT 2 x 2

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