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HSMS-2804	文件：196.55 Kbytes Page：10 Pages	SurfaceMountRFSchottkyBarrierDiodes	BOARDCOMBroadcom Corporation. 博通公司博通半导体	BOARDCOM
HSMS-2804	文件：139.06 Kbytes Page：10 Pages	SurfaceMountRFSchottkyBarrierDiodes Description/Applications TheseSchottkydiodesarespecificallydesignedforbothanaloganddigitalapplications.Thisseriesoffersawiderangeofspecificationsandpackageconfigurationstogivethedesignerwideflexibility.TypicalapplicationsoftheseSchottkydiodesaremixing,detectin	HPAgilent(Hewlett-Packard) 安捷伦科技安捷伦科技有限公司	HP
HSMS-2804	文件：196.55 Kbytes Page：10 Pages	SurfaceMountRFSchottkyBarrierDiodes Description/Applications TheseSchottkydiodesarespecificallydesignedforbothanaloganddigitalapplications.Thisseriesoffersawiderangeofspecificationsandpackageconfigurationstogivethedesignerwideflexibility.TheHSMS-280xseriesofdiodesisoptimizedforhighvoltagea	AVAGOAvago 安华高安华高科技	AVAGO
IIRF2804	文件：339.11 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IK2804	文件：590.99 Kbytes Page：12 Pages	HIGH-POWERLEDDRIVER	IKSEMICON IK Semicon Co., Ltd	IKSEMICON
IK2804D	文件：340.95 Kbytes Page：12 Pages	4constant-currentoutputchannels	IKSEMICON IK Semicon Co., Ltd	IKSEMICON
IK2804DT	文件：590.99 Kbytes Page：12 Pages	HIGH-POWERLEDDRIVER	IKSEMICON IK Semicon Co., Ltd	IKSEMICON
IRF2804	文件：285.49 Kbytes Page：13 Pages	AdvancedProcessTechnology	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRF2804	文件：339.11 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRF2804	文件：277.38 Kbytes Page：12 Pages	HEXFETPowerMOSFET VDSS=40V RDS(on)=2.0mΩ ID=75A Description SpecificallydesignedforAutomotiveapplications,thisHEXFET®PowerMOSFETutilizesthelatestprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Additionalfeaturesofthisdesignarea175°Cjunctionope	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRF2804L	文件：285.49 Kbytes Page：13 Pages	AdvancedProcessTechnology	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRF2804L	文件：277.38 Kbytes Page：12 Pages	HEXFETPowerMOSFET VDSS=40V RDS(on)=2.0mΩ ID=75A Description SpecificallydesignedforAutomotiveapplications,thisHEXFET®PowerMOSFETutilizesthelatestprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Additionalfeaturesofthisdesignarea175°Cjunctionope	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRF2804LPBF	文件：771.44 Kbytes Page：12 Pages	AUTOMOTIVEMOSFET Description SpecificallydesignedforAutomotiveapplications,thisHEXFET®PowerMOSFETutilizesthelatestprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Additionalfeaturesofthisdesignarea175°Cjunctionoperatingtemperature,fastswitchingspeedandimpro	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRF2804PBF	文件：414.11 Kbytes Page：12 Pages	AdvancedProcessTechnology	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRF2804PBF	文件：771.44 Kbytes Page：12 Pages	AUTOMOTIVEMOSFET Description SpecificallydesignedforAutomotiveapplications,thisHEXFET®PowerMOSFETutilizesthelatestprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Additionalfeaturesofthisdesignarea175°Cjunctionoperatingtemperature,fastswitchingspeedandimpro	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRF2804S	文件：277.38 Kbytes Page：12 Pages	HEXFETPowerMOSFET VDSS=40V RDS(on)=2.0mΩ ID=75A Description SpecificallydesignedforAutomotiveapplications,thisHEXFET®PowerMOSFETutilizesthelatestprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Additionalfeaturesofthisdesignarea175°Cjunctionope	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRF2804S	文件：285.49 Kbytes Page：13 Pages	AdvancedProcessTechnology	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRF2804SPBF	文件：771.44 Kbytes Page：12 Pages	AUTOMOTIVEMOSFET Description SpecificallydesignedforAutomotiveapplications,thisHEXFET®PowerMOSFETutilizesthelatestprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Additionalfeaturesofthisdesignarea175°Cjunctionoperatingtemperature,fastswitchingspeedandimpro	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRF2804SRPBF	文件：285.49 Kbytes Page：13 Pages	AdvancedProcessTechnology	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
JAN2804J	文件：102.78 Kbytes Page：7 Pages	HIGHVOLTAGEMEDIUMCURRENTDRIVERARRAYS	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi

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详细参数

型号：
NJM2804
制造商：
New Japan Radio Co Ltd(NJR/JRC)
功能描述：
3.3 V FIXED POSITIVE LDO REGULATOR, 0.18 V DROPOUT, PDSO5

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市华斯顿科技有限公司	NJM2804	JRC	22+23+		17698	绝对原装正品全新进口深圳现货	询价
深圳市粤骏腾电子科技有限公司	NJM2804	JRC/新日本无线	2021+		100000	原装现货	询价
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深圳市鹏和科技有限公司	NJM2804U1-3342(TE1)	JRC	24+	SOT89	5000	全现原装公司现货	询价
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