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NGTD9R120F2中文资料Rectifier 1200V 15A FS2 bare die数据手册ONSEMI规格书
NGTD9R120F2规格书详情
描述 Description
Rectifier bare die intended for use as IGBT reverse diode
特性 Features
• Extremely Efficient Trench with Field Stop Technology
• TJmax = 175°C
• Optimized for High Speed Switching
• These are Pb−Free Devices
应用 Application
• Solar Inverter
• Uninterruptible Power Inverter Supplies (UPS)
• Welding
简介
NGTD9R120F2属于分立半导体产品的二极管-整流器-单。由制造生产的NGTD9R120F2二极管 - 整流器 - 单单整流器二极管系列产品可用于让电流仅沿一个方向流动,并且每个器件封装都恰好实现该功能的一个实例。其他用途的二极管(包括齐纳二极管和可变电容二极管)单独列在各自的产品系列中,每个器件封装中包含多个二极管的产品也是如此。
技术参数
更多- 产品编号:
NGTD9R120F2WP
- 制造商:
onsemi
- 类别:
分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 单
- 包装:
卷带(TR)
- 二极管类型:
标准
- 安装类型:
表面贴装型
- 封装/外壳:
模具
- 供应商器件封装:
模具
- 工作温度 - 结:
175°C(最大)
- 描述:
DIODE GEN PURP 1.2KV DIE
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
ON(安森美) |
23+ |
NA |
20094 |
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ON Semiconductor |
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9000 |
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ON/安森美 |
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onsemi |
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ON Semiconductor |
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