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NGTD9R120F2中文资料Rectifier 1200V 15A FS2 bare die数据手册ONSEMI规格书

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厂商型号

NGTD9R120F2

参数属性

NGTD9R120F2 封装/外壳为模具;包装为卷带(TR);类别为分立半导体产品的二极管-整流器-单;产品描述:DIODE GEN PURP 1.2KV DIE

功能描述

Rectifier 1200V 15A FS2 bare die
DIODE GEN PURP 1.2KV DIE

封装外壳

模具

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体

数据手册

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更新时间

2025-9-27 9:38:00

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NGTD9R120F2规格书详情

描述 Description

Rectifier bare die intended for use as IGBT reverse diode

特性 Features

• Extremely Efficient Trench with Field Stop Technology
• TJmax = 175°C
• Optimized for High Speed Switching
• These are Pb−Free Devices

应用 Application

• Solar Inverter
• Uninterruptible Power Inverter Supplies (UPS)
• Welding

简介

NGTD9R120F2属于分立半导体产品的二极管-整流器-单。由制造生产的NGTD9R120F2二极管 - 整流器 - 单单整流器二极管系列产品可用于让电流仅沿一个方向流动,并且每个器件封装都恰好实现该功能的一个实例。其他用途的二极管(包括齐纳二极管和可变电容二极管)单独列在各自的产品系列中,每个器件封装中包含多个二极管的产品也是如此。

技术参数

更多
  • 产品编号:

    NGTD9R120F2WP

  • 制造商:

    onsemi

  • 类别:

    分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 单

  • 包装:

    卷带(TR)

  • 二极管类型:

    标准

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    模具

  • 供应商器件封装:

    模具

  • 工作温度 - 结:

    175°C(最大)

  • 描述:

    DIODE GEN PURP 1.2KV DIE

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ON(安森美)
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