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NGP8203N

Ignition IGBT 20 A, 400 V, N?묬hannel TO??20

文件:144.54 Kbytes 页数:7 Pages

ONSEMI

安森美半导体

NGP8203N

Ignition IGBT 20 A, 400 V, N−Channel TO−220

ONSEMI

安森美半导体

P8203

SMT CURRENT SENSE TRANSFORMERS

文件:82.54 Kbytes 页数:1 Pages

PULSE

P8203

smt Current Sense Transformers

文件:246.93 Kbytes 页数:2 Pages

PULSE

P8203NL

SMT CURRENT SENSE TRANSFORMERS

文件:80.77 Kbytes 页数:1 Pages

PULSE

详细参数

  • 型号:

    NGP8203

  • 功能描述:

    IGBT 晶体管 IGBT TO220 400V 20A

  • RoHS:

  • 制造商:

    Fairchild Semiconductor

  • 配置:

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO:

    650 V

  • 集电极—射极饱和电压:

    2.3 V

  • 栅极/发射极最大电压:

    20 V 在25

  • C的连续集电极电流:

    150 A

  • 栅极—射极漏泄电流:

    400 nA

  • 功率耗散:

    187 W

  • 封装/箱体:

    TO-247

  • 封装:

    Tube

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
onsemi(安森美)
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ON
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TO-2203LEADSTANDA
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TO-2203L
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PHI
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更多NGP8203供应商 更新时间2026-3-18 16:13:00