NGP8203N中文资料安森美半导体数据手册PDF规格书
产品属性
- 型号:
NGP8203N
- 功能描述:
IGBT 晶体管 IGBT TO220 400V 20A
- RoHS:
否
- 制造商:
Fairchild Semiconductor
- 配置:
集电极—发射极最大电压
- VCEO:
650 V
- 集电极—射极饱和电压:
2.3 V
- 栅极/发射极最大电压:
20 V 在25
- C的连续集电极电流:
150 A
- 栅极—射极漏泄电流:
400 nA
- 功率耗散:
187 W
- 封装/箱体:
TO-247
- 封装:
Tube
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
NIC Components |
23+ |
TO-18 |
12800 |
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询价 | ||
PHI |
24+ |
TQFP |
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23+ |
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N/A |
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TO-252 |
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ON |
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TO-220 |
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ON/安森美 |
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TO-220 |
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ON |
6000 |
面议 |
19 |
TO-2203LEA |
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ON |
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TO220 |
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PHI |
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TQFP |
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