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NGP15N41CLG数据手册分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF
NGP15N41CLG规格书详情
简介
NGP15N41CLG属于分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单。由制造生产的NGP15N41CLG晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT（绝缘栅双极晶体管）是一种具有三个端子的多层半导体器件，能够处理大电流，具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。
技术参数
更多- 制造商编号
：NGP15N41CLG
- 生产厂家
：ONSEMI
- 电压 - 集射极击穿（最大值）
：440V
- 电流 - 集电极（Ic）（最大值）
：15A
- 脉冲电流 - 集电极 (Icm)
：50A
- 不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）
：2.2V @ 4V，10A
- 功率 - 最大值
：107W
- 开关能量
：-
- 输入类型
：逻辑
- 25°C 时 Td（开/关）值
：-/4µs
- 测试条件
：300V，6.5A，1 千欧
- 工作温度
：-55°C ~ 175°C（TJ）
- 安装类型
：通孔
- 封装/外壳
：TO-220-3
- 供应商器件封装
：TO-220AB
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