NGD8205N中文资料Ignition IGBT 20 Amp, 350 Volt, N−Channel DPAK数据手册ONSEMI规格书
| 厂商型号 |
NGD8205N |
| 参数属性 | NGD8205N 封装/外壳为TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63；包装为管件；类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单；产品描述：IGBT 390V 20A 125W DPAK |
| 功能描述 | Ignition IGBT 20 Amp, 350 Volt, N−Channel DPAK |
| 封装外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 |
| 制造商 | ONSEMI ON Semiconductor |
| 中文名称 | 安森美半导体 |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-9-27 17:12:00 |
| 人工找货 | NGD8205N价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
NGD8205N规格书详情
简介
NGD8205N属于分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单。由制造生产的NGD8205N晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT（绝缘栅双极晶体管）是一种具有三个端子的多层半导体器件，能够处理大电流，具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。
技术参数
更多- 产品编号：
NGD8205NT4G
- 制造商：
onsemi
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
- 包装：
管件
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
1.9V @ 4.5V，20A
- 输入类型：
逻辑
- 25°C 时 Td（开/关）值：
-/5µs
- 测试条件：
300V，9A，1 千欧，5V
- 工作温度：
-55°C ~ 175°C（TJ）
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
- 供应商器件封装：
DPAK
- 描述：
IGBT 390V 20A 125W DPAK
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ON |
TO252 |
21242 |
一级代理 原装正品假一罚十价格优势长期供货 |
询价 | |||
ON/安森美 |
24+ |
TO-252 |
505348 |
免费送样原盒原包现货一手渠道联系 |
询价 | ||
ON/安森美 |
21+ |
SOT-252 |
30000 |
优势供应 实单必成 可13点增值税 |
询价 | ||
ON/安森美 |
23+ |
SOT-252 |
24190 |
原装正品代理渠道价格优势 |
询价 | ||
ON |
24+ |
DPAK4LEADSingleG |
8866 |
询价 | |||
ON |
24+ |
SOT-252 |
80000 |
只做自己库存 全新原装进口正品假一赔百 可开13%增 |
询价 | ||
ON/安森美 |
22+ |
SOT-252 |
18000 |
原装正品 |
询价 | ||
ON/安森美 |
23+ |
DPAK-4 |
6000 |
原装正品，支持实单 |
询价 | ||
ON Semiconductor |
2022+ |
DPAK |
38550 |
全新原装 支持表配单 中国著名电子元器件独立分销 |
询价 | ||
ON Semiconductor |
23+ |
DPAK3 |
8000 |
只做原装现货 |
询价 |
