NESG210833-T1B-A中文资料瑞萨数据手册PDF规格书

厂商型号	NESG210833-T1B-A
功能描述	NPN SiGe RF TRANSISTOR FOR UHF-BAND, LOW NOISE, LOW DISTORTION AMPLIFICATION 3-PIN MINIMOLD (33 PKG)
文件大小	103.15 Kbytes
页面数量	8 页
生产厂商	NEC
中文名称	瑞萨
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更新时间	2025-12-1 11:01:00
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NPN SiGe RF TRANSISTOR FOR UHF-BAND, LOW NOISE, LOW DISTORTION AMPLIFICATION 3-PIN MINIMOLD (33 PKG)

FEATURES

• The device is an ideal choice for low noise, low distortion amplification.

NF = 0.7 dB TYP. @ VCE = 5 V, IC = 5 mA, f = 1 GHz

NF = 0.9 dB TYP. @ VCE = 5 V, IC = 30 mA, f = 1 GHz

• PO (1 dB) = 18.5 dBm TYP. @ VCE = 5 V, IC (set) = 30 mA, f = 1 GHz

• OIP3 = 31 dBm TYP. @ VCE = 5 V, IC (set) = 30 mA, f = 1 GHz

• Maximum stable power gain: MSG =16.0 dB TYP. @ VCE = 5 V, IC = 30 mA, f = 1 GHz

• SiGe HBT technology (UHS2) : fT = 15.5 GHz

• 3-pin minimold (33 PKG)

型号：
NESG210833-T1B-A
制造商：
NEC
制造商全称：
NEC
功能描述：
NPN SiGe RF TRANSISTOR FOR UHF-BAND, LOW NOISE, LOW DISTORTION AMPLIFICATION 3-PIN MINIMOLD(33 PKG)

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