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NESG210833-T1B-A中文资料PDF规格书

NESG210833-T1B-A
厂商型号

NESG210833-T1B-A

功能描述

NPN SiGe RF TRANSISTOR FOR UHF-BAND, LOW NOISE, LOW DISTORTION AMPLIFICATION 3-PIN MINIMOLD (33 PKG)

文件大小

103.15 Kbytes

页面数量

8

生产厂商 Renesas Electronics America
企业简称

NEC瑞萨

中文名称

瑞萨科技有限公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2024-6-23 11:36:00

NESG210833-T1B-A规格书详情

NPN SiGe RF TRANSISTOR FOR UHF-BAND, LOW NOISE, LOW DISTORTION AMPLIFICATION 3-PIN MINIMOLD (33 PKG)

FEATURES

• The device is an ideal choice for low noise, low distortion amplification.

NF = 0.7 dB TYP. @ VCE = 5 V, IC = 5 mA, f = 1 GHz

NF = 0.9 dB TYP. @ VCE = 5 V, IC = 30 mA, f = 1 GHz

• PO (1 dB) = 18.5 dBm TYP. @ VCE = 5 V, IC (set) = 30 mA, f = 1 GHz

• OIP3 = 31 dBm TYP. @ VCE = 5 V, IC (set) = 30 mA, f = 1 GHz

• Maximum stable power gain: MSG =16.0 dB TYP. @ VCE = 5 V, IC = 30 mA, f = 1 GHz

• SiGe HBT technology (UHS2) : fT = 15.5 GHz

• 3-pin minimold (33 PKG)

产品属性

  • 型号:

    NESG210833-T1B-A

  • 制造商:

    NEC

  • 制造商全称:

    NEC

  • 功能描述:

    NPN SiGe RF TRANSISTOR FOR UHF-BAND, LOW NOISE, LOW DISTORTION AMPLIFICATION 3-PIN MINIMOLD(33 PKG)

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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RENESAS/瑞萨
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