首页>NESG2107M33-T3-A>规格书详情

NESG2107M33-T3-A分立半导体产品的晶体管-双极(BJT)-射频规格书PDF中文资料

PDF无图
厂商型号

NESG2107M33-T3-A

参数属性

NESG2107M33-T3-A 封装/外壳为3-SMD,扁平引线;包装为卷带(TR);类别为分立半导体产品的晶体管-双极(BJT)-射频;产品描述:RF TRANS NPN 5V 10GHZ 3SMINMOLD

功能描述

NECs NPN SILICON TRANSISTOR
RF TRANS NPN 5V 10GHZ 3SMINMOLD

封装外壳

3-SMD,扁平引线

文件大小

302.97 Kbytes

页面数量

4

生产厂商

CEL

网址

网址

数据手册

原厂下载下载地址一下载地址二

更新时间

2025-10-11 13:23:00

人工找货

NESG2107M33-T3-A价格和库存,欢迎联系客服免费人工找货

NESG2107M33-T3-A规格书详情

NESG2107M33-T3-A属于分立半导体产品的晶体管-双极(BJT)-射频。由California Eastern Labs制造生产的NESG2107M33-T3-A晶体管 - 双极(BJT)- 射频双极型射频晶体管是一种具有三个端子的半导体器件,用于在涉及射频的设备中开关或放大信号。双极结型晶体管设计为 NPN 或 PNP,特征参数包括晶体管类型、集射极击穿电压、跃迁频率、噪声系数、增益、功率、DC 电流增益和集电极电流。

产品属性

更多
  • 产品编号:

    NESG2107M33-T3-A

  • 制造商:

    CEL

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极(BJT)- 射频

  • 包装:

    卷带(TR)

  • 晶体管类型:

    NPN

  • 电压 - 集射极击穿(最大值):

    5V

  • 频率 - 跃迁:

    10GHz

  • 噪声系数(dB,不同 f 时的典型值):

    0.9dB ~ 1.5dB @ 2GHz

  • 增益:

    7dB ~ 10dB

  • 功率 - 最大值:

    130mW

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    140 @ 5mA,1V

  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):

    100mA

  • 工作温度:

    150°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    3-SMD,扁平引线

  • 供应商器件封装:

    3 针 SuperMiniMold(M33)

  • 描述:

    RF TRANS NPN 5V 10GHZ 3SMINMOLD

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
RENESAS/瑞萨
23+
SOT-23
27000
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种
询价
RENESAS
20+
SOT-23
4308
进口原装现货,假一赔十
询价
RENESAS
23+
SOT23
50000
全新原装正品现货,支持订货
询价
RENESAS
2511
SOT-23
4308
电子元器件采购降本 30%!盈慧通原厂直采,砍掉中间差价
询价
RENESAS/瑞萨
22+
SOT23
6000
现货,原厂原装假一罚十!
询价
RENESAS
24+
SOT-23
80000
只做自己库存 全新原装进口正品假一赔百 可开13%增
询价
24+
N/A
65000
一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择
询价
RENESAS/瑞萨
25+
SOT-23
880000
明嘉莱只做原装正品现货
询价
RENESAS/瑞萨
2447
SOT23
100500
一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,长期排单到货
询价
NEC
23+
M33
50000
全新原装正品现货,支持订货
询价