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NESG2021M05-A	文件：159.35 Kbytes Page：14 Pages	NPN SiGe RF Transistor for Low Noise, High-Gain Amplification FEATURES •Thisdeviceisanidealchoiceforlownoise,high-gainatlowcurrentamplifications. ⎯NF=0.9dBTYP.,Ga=18.0dBTYP.@VCE=2V,IC=3mA,f=2GHz ⎯NF=1.3dBTYP.,Ga=10.0dBTYP.@VCE=2V,IC=3mA,f=5.2GHz •Maximumstablepowergain:MSG=22.5dBT	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
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NESG2021M05-A

文件：159.35 Kbytes

Page：14 Pages

NPN SiGe RF Transistor for Low Noise, High-Gain Amplification

FEATURES •Thisdeviceisanidealchoiceforlownoise,high-gainatlowcurrentamplifications. ⎯NF=0.9dBTYP.,Ga=18.0dBTYP.@VCE=2V,IC=3mA,f=2GHz ⎯NF=1.3dBTYP.,Ga=10.0dBTYP.@VCE=2V,IC=3mA,f=5.2GHz •Maximumstablepowergain:MSG=22.5dBT

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瑞萨瑞萨科技有限公司

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NPNSiGeRFTransistorforLowNoise,High-GainAmplification

RENESASRenesas Technology Corp

瑞萨瑞萨科技有限公司

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Page：14 Pages

NECsNPNSiGeHIGHFREQUENCYTRANSISTOR

CEL

California Eastern Labs

CEL

详细参数

型号：
NESG2021M05-A
功能描述：
射频硅锗晶体管 NPN SiGe High Freq
RoHS：
否
制造商：
Infineon Technologies 发射极 - 基极电压
封装：
Reel

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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千层芯半导体(深圳)有限公司	NESG2021M05-A	CEL	24+	原厂原封	4000	原装正品	询价
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更多NESG2021M05-A供应商更新时间2025-7-21 15:30:00

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