NESG2021M05中文资料瑞萨数据手册PDF规格书

厂商型号	NESG2021M05
功能描述	NPN SiGe RF Transistor for Low Noise, High-Gain Amplification
文件大小	159.35 Kbytes
页面数量	14 页
生产厂商	RENESAS
中文名称	瑞萨
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更新时间	2025-12-3 14:09:00
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FEATURES

• This device is an ideal choice for low noise, high-gain at low current amplifications.

⎯ NF = 0.9 dB TYP., Ga = 18.0 dB TYP. @ VCE = 2 V, IC = 3 mA, f = 2 GHz

⎯ NF = 1.3 dB TYP., Ga = 10.0 dB TYP. @ VCE = 2 V, IC = 3 mA, f = 5.2 GHz

• Maximum stable power gain: MSG = 22.5 dB TYP. @ VCE = 3 V, IC = 10 mA, f = 2 GHz

• High breakdown voltage technology for SiGe Tr. adopted: VCEO (absolute maximum ratings) = 5.0 V

• Flat-lead 4-pin thin-type super minimold (M05) package

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