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R6006ANX	文件：265.52 Kbytes Page：6 Pages	10VDriveNchMOSFET	ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
R6006ANX	文件：1.71948 Mbytes Page：14 Pages	Nch600V6APowerMOSFET	ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
R6006JNJ	文件：2.22368 Mbytes Page：14 Pages	Nch600V6APowerMOSFET	ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
R6006JNX	文件：2.21642 Mbytes Page：14 Pages	Nch600V6APowerMOSFET	ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
R6006KNX	文件：296.36 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
R6006KNX	文件：2.06788 Mbytes Page：15 Pages	Nch600V6APowerMOSFET lFeatures 1)Lowon-resistance 2)Ultrafastswitching 3)Paralleluseiseasy 4)Pb-freeplating;RoHScompliant lApplication Switching	ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
RJK6006DPD	文件：80.23 Kbytes Page：7 Pages	SiliconNChannelMOSFETHighSpeedPowerSwitching Features Lowon-stateresistance RDS(on)=1.4Ωtyp.(atID=2.5A,VGS=10V,Ta=25oC) Highspeedswitching	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
RJK6006DPD	文件：80.23 Kbytes Page：7 Pages	SiliconNChannelMOSFETHighSpeedPowerSwitching	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
RJK6006DPD	文件：1.43513 Mbytes Page：5 Pages	N-ChannelMOSFETusesadvancedtrenchtechnology	DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD. 杜因特深圳市杜因特半导体有限公司	DOINGTER
RN6006	文件：94.49 Kbytes Page：3 Pages	TOSHIBATransistorSiliconNPNEpitaxialType(PCTProcess) MotorDriveCircuitApplications PowerAmplifierApplications PowerSwitchingApplications ●Withbuilt-inbiasresistors ●Simplifycircuitdesign ●Reduceaquantityofpartsandmanufacturingprocess ●Smallflatpackage ●PC=1~2W(mountedonceramicsubstrate) ●ComplementarytoRN50	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA

详细参数

型号：
NEROEXP/CD/6006
制造商：
Teac
功能描述：
SW;CDR;RW RECORD;V6.0 OR HIGH
功能描述：
CDR/RW RECORDING SOFTWARE - Bulk

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多NEROEXP/CD/6006供应商更新时间2025-7-24 17:18:00

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