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R6006ANX

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current -ID= 6A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 600V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 1.2Ω(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·DC-to-DC Converter ·General Industrial Applications ·Power Motor Control

文件:318.51 Kbytes 页数:2 Pages

ISC

无锡固电

R6006ANX

10V Drive Nch MOSFET

文件:265.52 Kbytes 页数:6 Pages

ROHM

罗姆

R6006ANX

Nch 600V 6A Power MOSFET

文件:1.71948 Mbytes 页数:14 Pages

ROHM

罗姆

R6006ANX_12

Nch 600V 6A Power MOSFET

文件:1.71948 Mbytes 页数:14 Pages

ROHM

罗姆

R6006ANX

10V Drive Nch MOSFET

为支持现有客户而生产的产品。不对新设计出售此产品。 •10V驱动型 Nch 功率MOSFET;

ROHM

罗姆

技术参数

  • 封装:

    TO-220FM

  • 包装数量:

    500

  • 最小独立包装数量:

    500

  • 包装形态:

    Bulk

  • RoHS:

    Yes

  • Package Code:

    TO-220FM

  • Number of terminal:

    3

  • Polarity:

    Nch

  • Drain-Source Voltage VDSS[V]:

    600

  • Drain Current ID[A]:

    6

  • RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ.):

    0.9

  • RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.):

    0.9

  • Total gate charge Qg[nC]:

    15

  • Power Dissipation (PD)[W]:

    40

  • Drive Voltage[V]:

    10

  • Mounting Style:

    Leaded type

  • Storage Temperature (Min.)[°C]:

    -55

  • Storage Temperature (Max.)[°C]:

    150

  • Package Size [mm]:

    10.1x15.1 (t=4.8)

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更多R6006ANX供应商 更新时间2025-12-13 14:38:00