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NE856中文资料NECs NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR数据手册Renesas规格书

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厂商型号

NE856

参数属性

NE856 封装/外壳为SC-82A,SOT-343;包装为卷带(TR);类别为分立半导体产品的晶体管-双极(BJT)-射频;产品描述:RF TRANS NPN 12V 6.5GHZ SOT343

功能描述

NECs NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR

封装外壳

SC-82A,SOT-343

制造商

Renesas Renesas Technology Corp

中文名称

瑞萨 瑞萨科技有限公司

数据手册

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更新时间

2025-9-26 22:59:00

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NE856规格书详情

描述 Description

DESCRIPTION
NEC's NE856 series of NPN epitaxial silicon transistors is designed for low cost amplifier and oscillator applications. Low noise figures, high gain, and high current capability equate to wide dynamic range and excellent linearity. The NE856 series offers excellent performance and reliability at low cost. This is achieved by NEC's titanium/platinum/gold metallization system and their direct nitride passivated base surface process. The NE856 series is available in chip form and a Micro-x package for high frequency applications. It is also available in several low cost plastic package styles.FEATURES
• HIGH GAIN BANDWIDTH PRODUCT:
    fT= 7 GHz
• LOW NOISE FIGURE:
    1.1 dB at 1 GHz
• HIGH COLLECTOR CURRENT:100 mA
• HIGH RELIABILITY METALLIZATION
• LOW COST

特性 Features

• HIGH GAIN BANDWIDTH PRODUCT:
    fT= 7 GHz
• LOW NOISE FIGURE:
    1.1 dB at 1 GHz
• HIGH COLLECTOR CURRENT:100 mA
• HIGH RELIABILITY METALLIZATION
• LOW COST

技术参数

  • 产品编号:

    NE85618-T1-A

  • 制造商:

    CEL

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极(BJT)- 射频

  • 包装:

    卷带(TR)

  • 晶体管类型:

    NPN

  • 电压 - 集射极击穿(最大值):

    12V

  • 频率 - 跃迁:

    6.5GHz

  • 噪声系数(dB,不同 f 时的典型值):

    1.1dB @ 1GHz

  • 增益:

    13dB

  • 功率 - 最大值:

    150mW

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    50 @ 20mA,10V

  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):

    100mA

  • 工作温度:

    150°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    SC-82A,SOT-343

  • 供应商器件封装:

    SOT-343

  • 描述:

    RF TRANS NPN 12V 6.5GHZ SOT343

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
RENESAS/瑞萨
24+
NA/
30
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票
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NEC
22+
SOT-89
100000
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SOT343
49000
原装优势主营型号-可开原型号增税票
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一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力
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