NE851M33中文资料NECs NPN SILICON TRANSISTOR数据手册CEL规格书
| 厂商型号 |
NE851M33 |
| 参数属性 | NE851M33 封装/外壳为3-SMD，扁平引线；包装为卷带（TR）；类别为分立半导体产品的晶体管-双极（BJT）-射频；产品描述：RF TRANS NPN 5.5V 4.5GHZ 3SMINI |
| 功能描述 | NECs NPN SILICON TRANSISTOR |
| 封装外壳 | 3-SMD，扁平引线 |
| 制造商 | CEL California Eastern Labs |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-9-27 13:31:00 |
| 人工找货 | NE851M33价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
NE851M33规格书详情
简介
NE851M33属于分立半导体产品的晶体管-双极（BJT）-射频。由制造生产的NE851M33晶体管 - 双极（BJT）- 射频双极型射频晶体管是一种具有三个端子的半导体器件，用于在涉及射频的设备中开关或放大信号。双极结型晶体管设计为 NPN 或 PNP，特征参数包括晶体管类型、集射极击穿电压、跃迁频率、噪声系数、增益、功率、DC 电流增益和集电极电流。
技术参数
更多- 产品编号：
NE851M33-T3-A
- 制造商：
CEL
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极（BJT）- 射频
- 包装：
卷带（TR）
- 晶体管类型：
NPN
- 电压 - 集射极击穿（最大值）：
5.5V
- 频率 - 跃迁：
4.5GHz
- 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）：
1.9dB ~ 2.5dB @ 2GHz
- 功率 - 最大值：
130mW
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
100 @ 5mA，1V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：
100mA
- 工作温度：
150°C（TJ）
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
3-SMD，扁平引线
- 供应商器件封装：
3 针 SuperMiniMold（M33）
- 描述：
RF TRANS NPN 5.5V 4.5GHZ 3SMINI
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
NEC |
24+ |
Mini3P |
7500 |
询价 | |||
RENESAS/瑞萨 |
24+ |
SOT423 |
60000 |
全新原装现货 |
询价 | ||
NEC |
24+ |
SOT-523 |
9600 |
原装现货,优势供应,支持实单! |
询价 | ||
NEC |
25+ |
SOP-8 |
18000 |
原厂直接发货进口原装 |
询价 | ||
ADI/亚德诺 |
2511 |
原封装 |
66900 |
电子元器件采购降本 30%!盈慧通原厂直采,砍掉中间差价 |
询价 | ||
NEC |
23+ |
SOT-343 |
50000 |
原装正品 支持实单 |
询价 | ||
CEL |
25+ |
3-SMD 扁平引线 |
9350 |
独立分销商 公司只做原装 诚心经营 免费试样正品保证 |
询价 | ||
NEC |
24+ |
SOT423 |
80000 |
只做自己库存 全新原装进口正品假一赔百 可开13%增 |
询价 | ||
NEC |
20+ |
SOT343 |
49000 |
原装优势主营型号-可开原型号增税票 |
询价 | ||
RENESAS/瑞萨 |
23+ |
26690 |
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种 |
询价 |
