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NE850R59中文资料C-BAND MEDIUM POWER GaAs MESFET数据手册CEL规格书

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厂商型号

NE850R59

功能描述

C-BAND MEDIUM POWER GaAs MESFET

制造商

CEL California Eastern Labs

数据手册

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更新时间

2025-9-23 12:21:00

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技术参数

  • 型号:

    NE850R59

  • 功能描述:

    射频GaAs晶体管 0.5W C-Band MESFET

  • RoHS:

  • 制造商:

    TriQuint Semiconductor

  • 技术类型:

    pHEMT

  • 频率:

    500 MHz to 3 GHz

  • 增益:

    10 dB

  • 噪声系数:

    正向跨导

  • gFS(最大值/最小值):

    4 S 漏源电压

  • 闸/源击穿电压:

    - 8 V

  • 漏极连续电流:

    3 A

  • 最大工作温度:

    + 150 C

  • 功率耗散:

    10 W

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