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NE685分立半导体产品的晶体管-双极(BJT)-射频规格书PDF中文资料

NE685
厂商型号

NE685

参数属性

NE685 封装/外壳为SOT-523;包装为卷带(TR);类别为分立半导体产品的晶体管-双极(BJT)-射频;产品描述:RF TRANS NPN 6V 12GHZ SOT523

功能描述

SURFACE MOUNT NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR

封装外壳

SOT-523

文件大小

176.45 Kbytes

页面数量

17

生产厂商 Renesas Electronics America
企业简称

NEC瑞萨

中文名称

日本瑞萨电子株式会社官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-5-30 23:01:00

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NE685规格书详情

DESCRIPTION

NECs family of high frequency, low cost, surface mount devices are well suited for portable wireless communications and cellular radio applications.

The NE685 series of high fT (12 GHz) devices is suitable for very low voltage/low current, low noise applications. These products are ideal for applications up to 2.4 GHz where low cost, high gain, low voltage, and low current are prime concerns.

FEATURES

• LOW COST

• SMALL AND ULTRA SMALL SIZE PACKAGES

• LOW VOLTAGE/LOW CURRENT OPERATION

• HIGH GAIN BANDWIDTH PRODUCT: fT of 12 GHz

• NOISE FIGURES OF 1.5 dB AT 2.0 GHZ

产品属性

  • 产品编号:

    NE68519-A

  • 制造商:

    CEL

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极(BJT)- 射频

  • 包装:

    卷带(TR)

  • 晶体管类型:

    NPN

  • 电压 - 集射极击穿(最大值):

    6V

  • 频率 - 跃迁:

    12GHz

  • 噪声系数(dB,不同 f 时的典型值):

    1.5dB @ 2GHz

  • 增益:

    11dB

  • 功率 - 最大值:

    125mW

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    75 @ 10mA,3V

  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):

    30mA

  • 工作温度:

    150°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    SOT-523

  • 供应商器件封装:

    SOT-523

  • 描述:

    RF TRANS NPN 6V 12GHZ SOT523

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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