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NE68139-T1分立半导体产品的晶体管-双极(BJT)-射频规格书PDF中文资料

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厂商型号

NE68139-T1

参数属性

NE68139-T1 封装/外壳为TO-253-4,TO-253AA;包装为卷带(TR)剪切带(CT);类别为分立半导体产品的晶体管-双极(BJT)-射频;产品描述:RF TRANS NPN 10V 9GHZ SOT143R

功能描述

NECs NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR

封装外壳

TO-253-4,TO-253AA

文件大小

218.96 Kbytes

页面数量

20

生产厂商

NEC

中文名称

瑞萨

网址

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数据手册

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更新时间

2025-10-5 23:00:00

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NE68139-T1规格书详情

DESCRIPTION

NECs NE681 series of NPN epitaxial silicon transistors are designed for low noise, high gain, low cost amplifier applications. Both the chip and micro-x versions are suitable for amplifier applications up to 4 GHz. The NE681 die is also available in six different low cost plastic surface mount package styles. NE681s unique device characteristics allow you to use a single matching point to simultaneously achieve both low noise and high gain.

FEATURES

• HIGH GAIN BANDWIDTH PRODUCT: fT = 8 GHz

• LOW NOISE FIGURE:

1.2 dB at 1 GHz

1.6 dB at 2 GHz

• HIGH ASSOCIATED GAIN:

15 dB at 1 GHz

12 dB at 2 GHz

• LOW COST

产品属性

  • 产品编号:

    NE68139-T1

  • 制造商:

    CEL

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极(BJT)- 射频

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)

  • 晶体管类型:

    NPN

  • 电压 - 集射极击穿(最大值):

    10V

  • 频率 - 跃迁:

    9GHz

  • 噪声系数(dB,不同 f 时的典型值):

    1.2dB ~ 2dB @ 1GHz

  • 增益:

    13.5dB

  • 功率 - 最大值:

    200mW

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    50 @ 7mA,3V

  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):

    65mA

  • 工作温度:

    150°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    TO-253-4,TO-253AA

  • 供应商器件封装:

    SOT-143

  • 描述:

    RF TRANS NPN 10V 9GHZ SOT143R

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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