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NE68130-T1分立半导体产品的晶体管-双极(BJT)-射频规格书PDF中文资料

厂商型号 |
NE68130-T1 |
参数属性 | NE68130-T1 封装/外壳为SC-70,SOT-323;包装为卷带(TR)剪切带(CT);类别为分立半导体产品的晶体管-双极(BJT)-射频;产品描述:RF TRANS NPN 10V 7GHZ SOT323 |
功能描述 | NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR |
封装外壳 | SC-70,SOT-323 |
文件大小 |
663.14 Kbytes |
页面数量 |
21 页 |
生产厂商 | California Eastern Labs |
企业简称 |
CEL |
中文名称 | California Eastern Labs官网 |
原厂标识 | ![]() |
数据手册 | |
更新时间 | 2025-6-2 23:01:00 |
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NE68130-T1规格书详情
NE68130-T1属于分立半导体产品的晶体管-双极(BJT)-射频。由California Eastern Labs制造生产的NE68130-T1晶体管 - 双极(BJT)- 射频双极型射频晶体管是一种具有三个端子的半导体器件,用于在涉及射频的设备中开关或放大信号。双极结型晶体管设计为 NPN 或 PNP,特征参数包括晶体管类型、集射极击穿电压、跃迁频率、噪声系数、增益、功率、DC 电流增益和集电极电流。
产品属性
更多- 产品编号:
NE68130-T1
- 制造商:
CEL
- 类别:
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极(BJT)- 射频
- 包装:
卷带(TR)剪切带(CT)
- 晶体管类型:
NPN
- 电压 - 集射极击穿(最大值):
10V
- 频率 - 跃迁:
7GHz
- 噪声系数(dB,不同 f 时的典型值):
1.5dB ~ 1.6dB @ 1GHz ~ 2GHz
- 增益:
9dB ~ 13.5dB
- 功率 - 最大值:
150mW
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):
40 @ 7mA,3V
- 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):
65mA
- 工作温度:
150°C(TJ)
- 安装类型:
表面贴装型
- 封装/外壳:
SC-70,SOT-323
- 供应商器件封装:
SOT-323
- 描述:
RF TRANS NPN 10V 7GHZ SOT323
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
RENESAS/瑞萨 |
24+ |
NA/ |
16200 |
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询价 | ||
NEC |
24+ |
SOT-23 |
880000 |
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ZXV |
SOT-23 |
90000 |
原装现货支持BOM配单服务 |
询价 | |||
RENESAS |
23+ |
SOT-323 |
63000 |
原装正品现货 |
询价 | ||
NEC |
23+ |
原厂封装 |
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NEC |
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SOT323 |
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NEC |
22+ |
SOT23 |
3000 |
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24+ |
3000 |
公司存货 |
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NEC |
24+ |
SOT-323 |
9600 |
原装现货,优势供应,支持实单! |
询价 | ||
NEC |
22+ |
SOT323 |
25000 |
只有原装原装,支持BOM配单 |
询价 |