NE68119分立半导体产品的晶体管-双极（BJT）-射频规格书PDF中文资料
NE68119规格书详情
DESCRIPTION
NECs NE681 series of NPN epitaxial silicon transistors are designed for low noise, high gain, low cost amplifier applications. Both the chip and micro-x versions are suitable for amplifier applications up to 4 GHz. The NE681 die is also available in six different low cost plastic surface mount package styles. NE681s unique device characteristics allow you to use a single matching point to simultaneously achieve both low noise and high gain.
FEATURES
• HIGH GAIN BANDWIDTH PRODUCT: fT = 8 GHz
• LOW NOISE FIGURE:
1.2 dB at 1 GHz
1.6 dB at 2 GHz
• HIGH ASSOCIATED GAIN:
15 dB at 1 GHz
12 dB at 2 GHz
• LOW COST
产品属性
- 产品编号：
NE68119-T1-A
- 制造商：
CEL
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极（BJT）- 射频
- 包装：
卷带（TR）剪切带（CT）
- 晶体管类型：
NPN
- 电压 - 集射极击穿（最大值）：
10V
- 频率 - 跃迁：
7GHz
- 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）：
1.4dB @ 1GHz
- 增益：
10dB
- 功率 - 最大值：
100mW
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
80 @ 7mA，3V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：
65mA
- 工作温度：
150°C（TJ）
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
SOT-523
- 供应商器件封装：
SOT-523
- 描述：
RF TRANS NPN 10V 7GHZ SOT523
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
RENESAS/瑞萨 |
24+ |
NA/ |
3000 |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
询价 | ||
NEC |
2010+ |
SOT423 |
12000 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
询价 | ||
RENESAS/瑞萨 |
23+ |
SOT-423 |
50000 |
原装正品 支持实单 |
询价 | ||
NEC(VA) |
23+ |
原厂封装 |
13528 |
振宏微原装正品,假一罚百 |
询价 | ||
RENESAS/瑞萨 |
25+ |
SOT-423 |
20300 |
RENESAS/瑞萨原装特价NE68119即刻询购立享优惠#长期有货 |
询价 | ||
ZXV |
20+ |
SOT-523 |
90000 |
原装现货支持BOM配单服务 |
询价 | ||
NEC |
22+ |
SOT423 |
3000 |
原装正品,支持实单 |
询价 | ||
CEL |
24+ |
原厂原封 |
4000 |
原装正品 |
询价 | ||
NEC |
2450+ |
SOT23-3 |
6540 |
只做原装正品现货或订货!终端客户免费申请样品! |
询价 | ||
NEC |
22+ |
SOT-423 |
12245 |
现货,原厂原装假一罚十! |
询价 |
