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NE68139-T1分立半导体产品的晶体管-双极（BJT）-射频规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
NE68139-T1 |
| 参数属性 | NE68139-T1 封装/外壳为TO-253-4，TO-253AA；包装为卷带（TR）剪切带（CT）；类别为分立半导体产品的晶体管-双极（BJT）-射频；产品描述：RF TRANS NPN 10V 9GHZ SOT143R |
| 功能描述 | NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR |
| 封装外壳 | TO-253-4，TO-253AA |
| 文件大小 |
663.14 Kbytes |
| 页面数量 |
21 页 |
| 生产厂商 | CEL |
| 网址 | |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-12-2 15:36:00 |
| 人工找货 | NE68139-T1价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
NE68139-T1规格书详情
NE68139-T1属于分立半导体产品的晶体管-双极（BJT）-射频。由California Eastern Labs制造生产的NE68139-T1晶体管 - 双极（BJT）- 射频双极型射频晶体管是一种具有三个端子的半导体器件，用于在涉及射频的设备中开关或放大信号。双极结型晶体管设计为 NPN 或 PNP，特征参数包括晶体管类型、集射极击穿电压、跃迁频率、噪声系数、增益、功率、DC 电流增益和集电极电流。
产品属性
更多- 产品编号：
NE68139-T1
- 制造商：
CEL
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极（BJT）- 射频
- 包装：
卷带（TR）剪切带（CT）
- 晶体管类型：
NPN
- 电压 - 集射极击穿（最大值）：
10V
- 频率 - 跃迁：
9GHz
- 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）：
1.2dB ~ 2dB @ 1GHz
- 增益：
13.5dB
- 功率 - 最大值：
200mW
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
50 @ 7mA，3V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：
65mA
- 工作温度：
150°C（TJ）
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
TO-253-4，TO-253AA
- 供应商器件封装：
SOT-143
- 描述：
RF TRANS NPN 10V 9GHZ SOT143R
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
原厂正品 |
23+ |
SOT523 |
5000 |
原装正品,假一罚十 |
询价 | ||
NEC |
2450+ |
SOT343-4 |
6540 |
只做原厂原装正品终端客户免费申请样品 |
询价 | ||
NEC |
20+ |
SOT523 |
49000 |
原装优势主营型号-可开原型号增税票 |
询价 | ||
NEC |
24+ |
SOT-143-4TO-253-4 |
7500 |
询价 | |||
NEC |
24+ |
SOT-423 |
9600 |
原装现货,优势供应,支持实单! |
询价 | ||
RENESAS/瑞萨 |
24+ |
NA/ |
12000 |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
询价 | ||
NEC |
22+ |
SOT343 |
3000 |
原装正品,支持实单 |
询价 | ||
CEL |
2022+ |
SOT-143 |
38550 |
全新原装 支持表配单 中国著名电子元器件独立分销 |
询价 | ||
NEC |
21+ |
SOT523 |
10000 |
原装现货假一罚十 |
询价 | ||
CEL |
24+ |
原厂原封 |
4000 |
原装正品 |
询价 |
