| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市科芯源微电子有限公司4年
留言
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RENESAS/瑞萨SOT-423 |
100586 |
23+ |
全新原厂原装正品现货,可提供技术支持、样品免费! |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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RENESAS/瑞萨SOT23 |
7906200 |
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深圳市河锋鑫科技有限公司3年
留言
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RENESAS/瑞萨SOT-423 |
120000 |
20+ |
原装正品 可含税交易 |
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深圳市永贝尔科技有限公司7年
留言
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CEL原厂原包 |
19960 |
23+ |
只做进口原装 终端工厂免费送样 |
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深圳市威尔健半导体有限公司4年
留言
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NECSOT-523 |
50000 |
23+ |
全新原装正品现货,支持订货 |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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NECSOT-143 |
265209 |
假一罚十原包原标签常备现货! |
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深圳市科恒伟业电子有限公司9年
留言
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NECSOT423 |
98215 |
1742+ |
只要网上有绝对有货!只做原装正品! |
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深圳市威尔健半导体有限公司4年
留言
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NECSOT-523 |
7460 |
23+ |
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深圳市科芯源微电子有限公司4年
留言
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RENESAS/瑞萨SOT-423 |
54258 |
23+ |
全新原厂原装正品现货,可提供技术支持、样品免费! |
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深圳市百视威讯电子科技有限公司3年
留言
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N/A |
90350 |
23+ |
正品授权货源可靠 |
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深圳市特莱科技有限公司6年
留言
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NECSOT-523 |
7460 |
22+21+ |
16年电子元件现货供应商 终端BOM表可配单提供样品 |
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深圳市百视威讯电子科技有限公司3年
留言
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N/A |
46480 |
23+ |
正品授权货源可靠 |
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深圳市科思奇电子科技有限公司7年
留言
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NECSOT343 |
5000 |
20+ |
原装正品 |
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深圳市创新迹电子有限公司1年
留言
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NECSOT423 |
25000 |
22+ |
只有原装原装,支持BOM配单 |
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深圳市星宇佳科技有限公司2年
留言
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ZXVSOT-523 |
90000 |
20+ |
原装现货支持BOM配单服务 |
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贸泽芯城（深圳）电子科技有限公司5年
留言
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NECSOT-523 |
26580 |
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种 |
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瀚佳科技(深圳)有限公司6年
留言
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NECSOT-423 |
9860 |
18+ |
全新原装现货/假一罚百! |
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深圳市远进半导体有限公司3年
留言
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NECSOT423 |
28000 |
22 |
3月31原装,微信报价 |
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深圳市威雅利发展有限公司5年
留言
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RENASESSOT-23 |
1449 |
12+ |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
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千层芯半导体(深圳)有限公司6年
留言
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CEL原厂原封 |
4000 |
17+ |
原装正品 |
NE685采购信息快速发布，第一时间取得供应商价格！
NE685图片
NE68519-T1-A价格
NE68519-T1-A价格：￥1.8172品牌：CEL
生产厂家品牌为CEL的NE68519-T1-A多少钱，想知道NE68519-T1-A价格是多少？参考价：￥1.8172。这里提供2024年最近一周走势，供应商今日竞价，代理商今日出价，NE68519-T1-A批发价格及采购报价，NE68519-T1-A销售排行榜及行情走势，NE68519-T1-A报价。
NE68519-A中文资料Alldatasheet PDF
更多NE685制造商:CEL 制造商全称:CEL 功能描述:SURFACE MOUNT NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR
NE68518功能描述:射频双极小信号晶体管 NPN High Frequency RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶体管极性:NPN 最大工作频率:7000 MHz 集电极—发射极最大电压 VCEO:15 V 发射极 - 基极电压 VEBO:2 V 集电极连续电流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集电极/Base Gain hfe Min: 最大工作温度:+ 150 C 封装 / 箱体:SOT-223 封装:Reel
NE68518-A功能描述:射频双极小信号晶体管 NPN High Frequency RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶体管极性:NPN 最大工作频率:7000 MHz 集电极—发射极最大电压 VCEO:15 V 发射极 - 基极电压 VEBO:2 V 集电极连续电流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集电极/Base Gain hfe Min: 最大工作温度:+ 150 C 封装 / 箱体:SOT-223 封装:Reel
NE68518-T1功能描述:射频双极小信号晶体管 NPN High Frequency RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶体管极性:NPN 最大工作频率:7000 MHz 集电极—发射极最大电压 VCEO:15 V 发射极 - 基极电压 VEBO:2 V 集电极连续电流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集电极/Base Gain hfe Min: 最大工作温度:+ 150 C 封装 / 箱体:SOT-223 封装:Reel
NE68518-T1-A功能描述:射频双极小信号晶体管 NPN High Frequency RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶体管极性:NPN 最大工作频率:7000 MHz 集电极—发射极最大电压 VCEO:15 V 发射极 - 基极电压 VEBO:2 V 集电极连续电流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集电极/Base Gain hfe Min: 最大工作温度:+ 150 C 封装 / 箱体:SOT-223 封装:Reel
NE68519功能描述:射频双极小信号晶体管 USE 551-NE68519-A RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶体管极性:NPN 最大工作频率:7000 MHz 集电极—发射极最大电压 VCEO:15 V 发射极 - 基极电压 VEBO:2 V 集电极连续电流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集电极/Base Gain hfe Min: 最大工作温度:+ 150 C 封装 / 箱体:SOT-223 封装:Reel
NE68519-A功能描述:射频双极小信号晶体管 NPN High Frequency RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶体管极性:NPN 最大工作频率:7000 MHz 集电极—发射极最大电压 VCEO:15 V 发射极 - 基极电压 VEBO:2 V 集电极连续电流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集电极/Base Gain hfe Min: 最大工作温度:+ 150 C 封装 / 箱体:SOT-223 封装:Reel
NE68519-T1功能描述:射频双极小信号晶体管 NPN High Frequency RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶体管极性:NPN 最大工作频率:7000 MHz 集电极—发射极最大电压 VCEO:15 V 发射极 - 基极电压 VEBO:2 V 集电极连续电流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集电极/Base Gain hfe Min: 最大工作温度:+ 150 C 封装 / 箱体:SOT-223 封装:Reel
NE68519-T1-A功能描述:射频双极小信号晶体管 NPN High Frequency RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶体管极性:NPN 最大工作频率:7000 MHz 集电极—发射极最大电压 VCEO:15 V 发射极 - 基极电压 VEBO:2 V 集电极连续电流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集电极/Base Gain hfe Min: 最大工作温度:+ 150 C 封装 / 箱体:SOT-223 封装:Reel
NE68530功能描述:射频双极小信号晶体管 USE 551-NE68530-A RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶体管极性:NPN 最大工作频率:7000 MHz 集电极—发射极最大电压 VCEO:15 V 发射极 - 基极电压 VEBO:2 V 集电极连续电流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集电极/Base Gain hfe Min: 最大工作温度:+ 150 C 封装 / 箱体:SOT-223 封装:Reel
