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NE685M03-T1-A	文件：205.64 Kbytes Page：4 Pages	NPN SILICON TRANSISTOR 文件：205.64 Kbytes 页数：4 Pages	CEL	CEL
NE685M03-T1-A	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：SOT-623F；包装：卷带（TR）类别：分立半导体产品晶体管 - 双极（BJT）- 射频描述：RF TRANS NPN 5V 12GHZ M03	CEL	CEL
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产品属性

产品编号：
NE685M03-T1-A
制造商：
CEL
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极（BJT）- 射频
包装：
卷带（TR）
晶体管类型：
NPN
电压 - 集射极击穿（最大值）：
5V
频率 - 跃迁：
12GHz
噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）：
1.5dB ~ 2.5dB @ 2GHz
功率 - 最大值：
125mW
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
75 @ 10mA，3V
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：
30mA
工作温度：
150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
SOT-623F
供应商器件封装：
M03
描述：
RF TRANS NPN 5V 12GHZ M03

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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