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NE685M03-T1-A分立半导体产品的晶体管-双极（BJT）-射频规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
NE685M03-T1-A |
| 参数属性 | NE685M03-T1-A 封装/外壳为SOT-623F；包装为卷带（TR）；类别为分立半导体产品的晶体管-双极（BJT）-射频；产品描述：RF TRANS NPN 5V 12GHZ M03 |
| 功能描述 | NPN SILICON TRANSISTOR |
| 封装外壳 | SOT-623F |
| 文件大小 |
205.64 Kbytes |
| 页面数量 |
4 页 |
| 生产厂商 | CEL |
| 网址 | |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-12-1 23:00:00 |
| 人工找货 | NE685M03-T1-A价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
NE685M03-T1-A规格书详情
NE685M03-T1-A属于分立半导体产品的晶体管-双极（BJT）-射频。由California Eastern Labs制造生产的NE685M03-T1-A晶体管 - 双极（BJT）- 射频双极型射频晶体管是一种具有三个端子的半导体器件，用于在涉及射频的设备中开关或放大信号。双极结型晶体管设计为 NPN 或 PNP，特征参数包括晶体管类型、集射极击穿电压、跃迁频率、噪声系数、增益、功率、DC 电流增益和集电极电流。
产品属性
更多- 产品编号：
NE685M03-T1-A
- 制造商：
CEL
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极（BJT）- 射频
- 包装：
卷带（TR）
- 晶体管类型：
NPN
- 电压 - 集射极击穿（最大值）：
5V
- 频率 - 跃迁：
12GHz
- 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）：
1.5dB ~ 2.5dB @ 2GHz
- 功率 - 最大值：
125mW
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
75 @ 10mA，3V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：
30mA
- 工作温度：
150°C（TJ）
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
SOT-623F
- 供应商器件封装：
M03
- 描述：
RF TRANS NPN 5V 12GHZ M03
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
NEC |
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