首页>NE685M03-T1-A>规格书详情

NE685M03-T1-A分立半导体产品晶体管-双极(BJT)-射频规格书PDF中文资料

NE685M03-T1-A
厂商型号

NE685M03-T1-A

参数属性

NE685M03-T1-A 封装/外壳为SOT-623F;包装为卷带(TR);类别为分立半导体产品 > 晶体管 - 双极(BJT)- 射频;产品描述:RF TRANS NPN 5V 12GHZ M03

功能描述

NPN SILICON TRANSISTOR
RF TRANS NPN 5V 12GHZ M03

文件大小

205.64 Kbytes

页面数量

4

生产厂商 California Eastern Laboratories
企业简称

CEL

中文名称

California Eastern Laboratories官网

原厂标识
数据手册

原厂下载下载地址一下载地址二

更新时间

2024-6-4 21:58:00

NE685M03-T1-A规格书详情

NE685M03-T1-A属于分立半导体产品 > 晶体管 - 双极(BJT)- 射频。California Eastern Laboratories制造生产的NE685M03-T1-A晶体管 - 双极(BJT)- 射频双极型射频晶体管是一种具有三个端子的半导体器件,用于在涉及射频的设备中开关或放大信号。双极结型晶体管设计为 NPN 或 PNP,特征参数包括晶体管类型、集射极击穿电压、跃迁频率、噪声系数、增益、功率、DC 电流增益和集电极电流。

产品属性

  • 产品编号:

    NE685M03-T1-A

  • 制造商:

    CEL

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极(BJT)- 射频

  • 包装:

    卷带(TR)

  • 晶体管类型:

    NPN

  • 电压 - 集射极击穿(最大值):

    5V

  • 频率 - 跃迁:

    12GHz

  • 噪声系数(dB,不同 f 时的典型值):

    1.5dB ~ 2.5dB @ 2GHz

  • 功率 - 最大值:

    125mW

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    75 @ 10mA,3V

  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):

    30mA

  • 工作温度:

    150°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    SOT-623F

  • 供应商器件封装:

    M03

  • 描述:

    RF TRANS NPN 5V 12GHZ M03

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
NEC
20+
SOT343
49000
原装优势主营型号-可开原型号增税票
询价
ZXV
20+
SOT-523
90000
原装现货支持BOM配单服务
询价
NEC
2022
SOT-523
80000
原装现货,OEM渠道,欢迎咨询
询价
NEC
1742+
SOT343
98215
只要网上有绝对有货!只做原装正品!
询价
CEL
23+
原厂原包
19960
只做进口原装 终端工厂免费送样
询价
NEC
SOT523
68900
原包原标签100%进口原装常备现货!
询价
NEC
22+
SOT343
3000
原装正品,支持实单
询价
RENESAS-瑞萨
24+25+/26+27+
SOT-423
57500
一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库
询价
NEC
23+
NA/
7460
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票
询价
NEC
23+
SOT-343
50000
原装正品 支持实单
询价