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NE68530-T1-A分立半导体产品的晶体管-双极(BJT)-射频规格书PDF中文资料

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厂商型号

NE68530-T1-A

参数属性

NE68530-T1-A 封装/外壳为SC-70,SOT-323;包装为卷带(TR)剪切带(CT);类别为分立半导体产品的晶体管-双极(BJT)-射频;产品描述:RF TRANS NPN 6V 12GHZ SOT323

功能描述

SURFACE MOUNT NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR
RF TRANS NPN 6V 12GHZ SOT323

封装外壳

SC-70,SOT-323

文件大小

354.67 Kbytes

页面数量

18

生产厂商

CEL

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数据手册

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更新时间

2025-12-7 23:01:00

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NE68530-T1-A规格书详情

NE68530-T1-A属于分立半导体产品的晶体管-双极(BJT)-射频。由California Eastern Labs制造生产的NE68530-T1-A晶体管 - 双极(BJT)- 射频双极型射频晶体管是一种具有三个端子的半导体器件,用于在涉及射频的设备中开关或放大信号。双极结型晶体管设计为 NPN 或 PNP,特征参数包括晶体管类型、集射极击穿电压、跃迁频率、噪声系数、增益、功率、DC 电流增益和集电极电流。

产品属性

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  • 产品编号:

    NE68530-T1-A

  • 制造商:

    CEL

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极(BJT)- 射频

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)

  • 晶体管类型:

    NPN

  • 电压 - 集射极击穿(最大值):

    6V

  • 频率 - 跃迁:

    12GHz

  • 噪声系数(dB,不同 f 时的典型值):

    1.5dB ~ 2.5dB @ 2GHz

  • 增益:

    7dB

  • 功率 - 最大值:

    150mW

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    75 @ 10mA,3V

  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):

    30mA

  • 工作温度:

    150°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    SC-70,SOT-323

  • 供应商器件封装:

    SOT-323

  • 描述:

    RF TRANS NPN 6V 12GHZ SOT323

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