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NE55410GR

N-CHANNEL SILICON POWER LDMOS FET FOR 2 W 10 W VHF to L-BAND SINGLE-END POWER AMPLIFIER

文件:186.72 Kbytes 页数:13 Pages

NEC

瑞萨

NE55410GR

N-CHANNEL SILICON POWER LDMOS FET FOR 2 W 10 W VHF to L-BAND SINGLE-END POWER AMPLIFIER

文件:558.19 Kbytes 页数:13 Pages

CEL

NE55410GR

N-CHANNEL SILICON POWER LDMOS FET FOR 2 W 10 W VHF to L-BAND SINGLE-END POWER AMPLIFIER

文件:317.31 Kbytes 页数:15 Pages

RENESAS

瑞萨

NE55410GR_07

N-CHANNEL SILICON POWER LDMOS FET FOR 2 W 10 W VHF to L-BAND SINGLE-END POWER AMPLIFIER

文件:580.07 Kbytes 页数:14 Pages

CEL

NE55410GR-T3-AZ

N-CHANNEL SILICON POWER LDMOS FET FOR 2 W 10 W VHF to L-BAND SINGLE-END POWER AMPLIFIER

文件:558.19 Kbytes 页数:13 Pages

CEL

NE55410GR-T3-AZ

N-CHANNEL SILICON POWER LDMOS FET FOR 2 W 10 W VHF to L-BAND SINGLE-END POWER AMPLIFIER

文件:186.72 Kbytes 页数:13 Pages

NEC

瑞萨

NE55410GR

N-CHANNEL SILICON POWER LDMOS FET FOR 2 W 10 W VHF to L-BAND SINGLE-END POWER AMPLIFIER

Renesas

瑞萨

NE55410GR-AZ

Package:16-DFF,裸露焊盘;包装:卷带(TR) 类别:分立半导体产品 晶体管 - FET,MOSFET - 射频 描述:FET RF 65V 2.14GHZ 16-HTSSOP

CEL

NE55410GR-T3-AZ

Package:16-DFF,裸露焊盘;包装:卷带(TR) 类别:分立半导体产品 晶体管 - FET,MOSFET - 射频 描述:FET RF 65V 2.14GHZ 16-HTSSOP

CEL

详细参数

  • 型号:

    NE55410GR

  • 制造商:

    CEL

  • 制造商全称:

    CEL

  • 功能描述:

    N-CHANNEL SILICON POWER LDMOS FET FOR 2 W + 10 W VHF to L-BAND SINGLE-END POWER AMPLIFIER

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
CEL
22+
16HTSSOP
9000
原厂渠道,现货配单
询价
HTSSOP
1119+
NEC
71
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力
询价
CEL
2022+
16-HTSSOP
38550
全新原装 支持表配单 中国著名电子元器件独立分销
询价
HTSSOP
23+
NEC
12800
##公司主营品牌长期供应100%原装现货可含税提供技术
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NEC/RENESAS瑞萨
23+
HTSSOP
89630
当天发货全新原装现货
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NEC
18+
HTSSOP
880000
明嘉莱只做原装正品现货
询价
24+
N/A
51000
一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择
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HTSSOP
23+
NEC
71
全新原装正品现货,支持订货
询价
2406+
NE55410SERI
3986
优势代理渠道,原装现货,可全系列订货
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RENESAS/瑞萨
2450+
HTSSOP
8850
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险!!
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更多NE55410GR供应商 更新时间2026-4-21 18:06:00