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NE55410GR-T3-AZ	文件：186.72 Kbytes Page：13 Pages	N-CHANNEL SILICON POWER LDMOS FET FOR 2 W 10 W VHF to L-BAND SINGLE-END POWER AMPLIFIER 文件：186.72 Kbytes 页数：13 Pages	NEC 瑞萨	NEC
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NE55410GR-T3-AZ	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：16-DFF，裸露焊盘；包装：卷带（TR）类别：分立半导体产品晶体管 - FET，MOSFET - 射频描述：FET RF 65V 2.14GHZ 16-HTSSOP	CEL	CEL
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NE555D	文件：0 bytes Page：0 Pages	TI SOP8	TI 德州仪器上传：深圳市旺财半导体有限公司	TI

产品属性

产品编号：
NE55410GR-T3-AZ
制造商：
CEL
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 射频
包装：
卷带（TR）
晶体管类型：
LDMOS
频率：
2.14GHz
增益：
13.5dB
额定电流（安培）：
250mA，1A
功率 - 输出：
35.4dBm
封装/外壳：
16-DFF，裸露焊盘
供应商器件封装：
16-HTSSOP
描述：
FET RF 65V 2.14GHZ 16-HTSSOP

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多NE55410GR-T3-AZ供应商更新时间2025-10-4 10:01:00

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