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NE55410GR-T3-AZ分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-射频规格书PDF中文资料

厂商型号 |
NE55410GR-T3-AZ |
参数属性 | NE55410GR-T3-AZ 封装/外壳为16-DFF,裸露焊盘;包装为卷带(TR);类别为分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-射频;产品描述:FET RF 65V 2.14GHZ 16-HTSSOP |
功能描述 | N-CHANNEL SILICON POWER LDMOS FET FOR 2 W 10 W VHF to L-BAND SINGLE-END POWER AMPLIFIER |
封装外壳 | 16-DFF,裸露焊盘 |
文件大小 |
558.19 Kbytes |
页面数量 |
13 页 |
生产厂商 | CEL |
网址 | |
数据手册 | |
更新时间 | 2025-10-4 9:16:00 |
人工找货 | NE55410GR-T3-AZ价格和库存,欢迎联系客服免费人工找货 |
NE55410GR-T3-AZ规格书详情
NE55410GR-T3-AZ属于分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-射频。由California Eastern Labs制造生产的NE55410GR-T3-AZ晶体管 - FET,MOSFET - 射频射频晶体管、FET 和 MOSFET 是具有三个端子的半导体器件,器件中电流受电场控制。该系列器件用于涉及射频的设备。用于放大或切换信号或功率的晶体管类型包括:E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 沟道、P 沟道、pHEMT、碳化硅、2 N 沟道和 4 N 沟道。
产品属性
更多- 产品编号:
NE55410GR-T3-AZ
- 制造商:
CEL
- 类别:
分立半导体产品 > 晶体管 - FET,MOSFET - 射频
- 包装:
卷带(TR)
- 晶体管类型:
LDMOS
- 频率:
2.14GHz
- 增益:
13.5dB
- 额定电流(安培):
250mA,1A
- 功率 - 输出:
35.4dBm
- 封装/外壳:
16-DFF,裸露焊盘
- 供应商器件封装:
16-HTSSOP
- 描述:
FET RF 65V 2.14GHZ 16-HTSSOP
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
TI |
08+ |
原厂原装 |
45990 |
全新原装 绝对有货 |
询价 | ||
TI |
23+ |
NA |
10021 |
专业电子元器件供应链正迈科技特价代理特价,原装元器件供应,支持开发样品 |
询价 | ||
HTSSOP |
23+ |
NEC |
12800 |
##公司主营品牌长期供应100%原装现货可含税提供技术 |
询价 | ||
RENESAS |
原厂封装 |
9800 |
原装进口公司现货假一赔百 |
询价 | |||
24+ |
N/A |
51000 |
一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择 |
询价 | |||
原装正品 |
1430+ |
SOP |
5800 |
全新原装,公司大量现货供应,绝对正品 |
询价 | ||
HTSSOP |
23+ |
NEC |
71 |
全新原装正品现货,支持订货 |
询价 | ||
TI |
2015+ |
SOP/DIP |
19889 |
原装现货 |
询价 | ||
TI |
24+ |
SOP8 |
5825 |
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询价 | ||
ST |
24+ |
SOP8 |
6980 |
原装现货,可开13%税票 |
询价 |