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NE55410GR-T3-AZ分立半导体产品晶体管-FETMOSFET-射频规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
NE55410GR-T3-AZ |
| 参数属性 | NE55410GR-T3-AZ 封装/外壳为16-DFF，裸露焊盘；包装为卷带（TR）；类别为分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 射频；产品描述：FET RF 65V 2.14GHZ 16-HTSSOP |
| 功能描述 | N-CHANNEL SILICON POWER LDMOS FET FOR 2 W 10 W VHF to L-BAND SINGLE-END POWER AMPLIFIER |
| 文件大小 |
558.19 Kbytes |
| 页面数量 |
13 页 |
| 生产厂商 | California Eastern Laboratories |
| 企业简称 |
CEL |
| 中文名称 | California Eastern Laboratories官网 |
| 原厂标识 |  |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2024-6-17 17:19:00 |
NE55410GR-T3-AZ规格书详情
NE55410GR-T3-AZ属于分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 射频。California Eastern Laboratories制造生产的NE55410GR-T3-AZ晶体管 - FET，MOSFET - 射频射频晶体管、FET 和 MOSFET 是具有三个端子的半导体器件，器件中电流受电场控制。该系列器件用于涉及射频的设备。用于放大或切换信号或功率的晶体管类型包括：E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 沟道、P 沟道、pHEMT、碳化硅、2 N 沟道和 4 N 沟道。
产品属性
- 产品编号：
NE55410GR-T3-AZ
- 制造商：
CEL
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 射频
- 包装：
卷带（TR）
- 晶体管类型：
LDMOS
- 频率：
2.14GHz
- 增益：
13.5dB
- 额定电流（安培）：
250mA，1A
- 功率 - 输出：
35.4dBm
- 封装/外壳：
16-DFF，裸露焊盘
- 供应商器件封装：
16-HTSSOP
- 描述：
FET RF 65V 2.14GHZ 16-HTSSOP
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
HTSSOP |
21+ |
NEC |
71 |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
询价 | ||
TI |
2015+ |
SOP/DIP |
19889 |
原装现货 |
询价 | ||
HTSSOP |
NEC |
699839 |
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询价 | |||
NEC |
18+ |
HTSSOP |
880000 |
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询价 | ||
ST |
22+ |
SOP8 |
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ST |
2016+ |
SOP8 |
6528 |
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询价 | ||
TI/TEXAS |
23+ |
DIP/SOP |
8931 |
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ST |
23+ |
SOP8 |
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PHI |
6000 |
面议 |
19 |
SOP |
询价 | ||
TI |
2022 |
SOP |
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原厂原装正品,价格超越代理 |
询价 |
