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NE55410GR-T3-AZ分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-射频规格书PDF中文资料

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厂商型号

NE55410GR-T3-AZ

参数属性

NE55410GR-T3-AZ 封装/外壳为16-DFF,裸露焊盘;包装为卷带(TR);类别为分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-射频;产品描述:FET RF 65V 2.14GHZ 16-HTSSOP

功能描述

N-CHANNEL SILICON POWER LDMOS FET FOR 2 W 10 W VHF to L-BAND SINGLE-END POWER AMPLIFIER
FET RF 65V 2.14GHZ 16-HTSSOP

封装外壳

16-DFF,裸露焊盘

文件大小

558.19 Kbytes

页面数量

13

生产厂商

CEL

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更新时间

2025-10-4 9:16:00

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NE55410GR-T3-AZ规格书详情

NE55410GR-T3-AZ属于分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-射频。由California Eastern Labs制造生产的NE55410GR-T3-AZ晶体管 - FET,MOSFET - 射频射频晶体管、FET 和 MOSFET 是具有三个端子的半导体器件,器件中电流受电场控制。该系列器件用于涉及射频的设备。用于放大或切换信号或功率的晶体管类型包括:E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 沟道、P 沟道、pHEMT、碳化硅、2 N 沟道和 4 N 沟道。

产品属性

更多
  • 产品编号:

    NE55410GR-T3-AZ

  • 制造商:

    CEL

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - FET,MOSFET - 射频

  • 包装:

    卷带(TR)

  • 晶体管类型:

    LDMOS

  • 频率:

    2.14GHz

  • 增益:

    13.5dB

  • 额定电流(安培):

    250mA,1A

  • 功率 - 输出:

    35.4dBm

  • 封装/外壳:

    16-DFF,裸露焊盘

  • 供应商器件封装:

    16-HTSSOP

  • 描述:

    FET RF 65V 2.14GHZ 16-HTSSOP

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