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NE5517N	文件：183.05 Kbytes Page：15 Pages	Dual Operational Transconductance Amplifier 文件：183.05 Kbytes 页数：15 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NE5517NG	文件：183.05 Kbytes Page：15 Pages	Dual Operational Transconductance Amplifier 文件：183.05 Kbytes 页数：15 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NE5517A	文件：300 bytes Page：1 Pages	Operational Transconductance Amplifier, Dual The AU5517 and NE5517 contain two current-controlled operational transconductance amplifiers, each with a differential input and push-pull output. The AU5517/NE5517 offers significant design and performance advantages over similar devices for all types of programmable gain applications. Circuit perf Constant Impedance Buffers\nDelta VBE of Buffer is Constant with Amplifier Ibias Change\nExcellent Matching Between Amplifiers\nLinearizing Diodes\nHigh Output Signal-to-Noise Ratio;	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

技术参数

Pb-free：
Pb
Halide free：
H
Status：
Active
Rail to Rail：
No
Channels：
2
VS Min (V)：
-18
VS Max (V)：
18
Iq Typ (mA)：
1.3
VOS Max (mV)：
5
GBW Typ (MHz)：
2
SR Typ (V/µs)：
50
IO Typ (mA)：
0.005
ΔVOS/ΔT (μV/C)：
7
Ibias Typ (pA)：
400000
CMRR Typ (dB)：
110
Architecture：
Bipolar
Temperature Range (°C)：
-40 to 125
Package Type：
SOIC-16

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更多NE5517供应商更新时间2026-1-30 14:12:00

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