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详细参数

  • 型号:

    NE4503S01-A

  • 功能描述:

    射频GaAs晶体管 SUPER Lo Noise PseudomorpHIc HJ FET

  • RoHS:

  • 制造商:

    TriQuint Semiconductor

  • 技术类型:

    pHEMT

  • 频率:

    500 MHz to 3 GHz

  • 增益:

    10 dB

  • 噪声系数:

    正向跨导

  • gFS(最大值/最小值):

    4 S 漏源电压

  • 闸/源击穿电压:

    - 8 V

  • 漏极连续电流:

    3 A

  • 最大工作温度:

    + 150 C

  • 功率耗散:

    10 W

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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50000
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更多NE4503S01-A供应商 更新时间2026-2-4 11:00:00