NE3521M04中文资料N-Channel GaAs HJ-FET, K Band Low Noise and High-Gain数据手册CEL规格书
| 厂商型号 |
NE3521M04 |
| 参数属性 | NE3521M04 封装/外壳为4-SMD，扁平引线；包装为卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带；类别为分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-射频；产品描述：IC HJ-FET N-CH GAAS 4SMINI |
| 功能描述 | N-Channel GaAs HJ-FET, K Band Low Noise and High-Gain |
| 封装外壳 | 4-SMD，扁平引线 |
| 制造商 | CEL California Eastern Labs |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-9-24 13:31:00 |
| 人工找货 | NE3521M04价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
NE3521M04规格书详情
简介
NE3521M04属于分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-射频。由制造生产的NE3521M04晶体管 - FET，MOSFET - 射频射频晶体管、FET 和 MOSFET 是具有三个端子的半导体器件，器件中电流受电场控制。该系列器件用于涉及射频的设备。用于放大或切换信号或功率的晶体管类型包括：E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 沟道、P 沟道、pHEMT、碳化硅、2 N 沟道和 4 N 沟道。
技术参数
更多- 产品编号：
NE3521M04-T2-A
- 制造商：
CEL
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 射频
- 包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
- 晶体管类型：
N 沟道 GaAs HJ-FET
- 频率：
20GHz
- 增益：
11dB
- 额定电流（安培）：
70mA
- 噪声系数：
0.85dB
- 封装/外壳：
4-SMD，扁平引线
- 描述：
IC HJ-FET N-CH GAAS 4SMINI
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
RENESAS/瑞萨 |
24+ |
4-SMD |
60000 |
询价 | |||
RENESAS |
24+ |
4-SMD |
5000 |
全新原装正品,现货销售 |
询价 | ||
RENESAS |
20+ |
4-SMD |
938 |
进口原装现货,假一赔十 |
询价 | ||
RENESAS |
23+ |
4-SMD |
938 |
全新原装正品现货,支持订货 |
询价 | ||
RENESAS |
24+ |
4-SMD |
8000 |
新到现货，只做全新原装正品 |
询价 | ||
NEC |
2023+ |
SOT-343 |
5800 |
进口原装,现货热卖 |
询价 | ||
RENESAS |
2511 |
4-SMD |
938 |
电子元器件采购降本 30%!盈慧通原厂直采,砍掉中间差价 |
询价 | ||
RENESAS |
24+ |
4-SMD |
80000 |
只做自己库存 全新原装进口正品假一赔百 可开13%增 |
询价 | ||
23+ |
SOP |
13725 |
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询价 | |||
24+ |
N/A |
46000 |
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